ZHCSTU4A March 2011 – October 2024 LM3481-Q1
PRODUCTION DATA
与升压转换器一样,MOSFET 选型要考虑的重要参数包括最小阈值电压 VTH(MIN)、导通电阻 RDS(ON)、总栅极电荷 Qg、反向传输电容 CRSS 和最大漏源电压 VDS(MAX)。SEPIC 中的峰值开关电压由下式给出:
选择的 MOSFET 应满足以下条件:
峰值开关电流由下式给出:
其中 ΔIL1 和 ΔIL2 分别是电感器 L1 和 L2 的峰峰值电感器纹波电流。
流经开关的均方根电流由下式给出: