ZHCSI65E September   2018  – February 2022 LM321LV , LM324LV , LM358LV

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息：LM321LV
    5. 6.5 热性能信息：LM358LV
    6. 6.6 热性能信息：LM324LV
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 工作电压
      2. 7.3.2 共模输入范围包括接地
      3. 7.3.3 过载恢复
      4. 7.3.4 电气过应力
      5. 7.3.5 EMI 易感性和输入滤波
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 输入和 ESD 保护
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 热性能信息：LM358LV

热指标(1)LM358LV单位
D (SOIC)DGK (VSSOP)PW (TSSOP)DDF (SOT-23)
8 引脚8 引脚8 引脚8 引脚
RθJA结至环境热阻207.9201.2200.7183.7°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻92.885.795.4112.5°C/W
RθJB结至电路板热阻129.7122.9128.698.2°C/W
ψJT结至顶部特征参数2621.227.218.8°C/W
ψJB结至电路板特征参数127.9121.4127.297.6°C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。
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