LM393B、LM2903B、LM193、LM293、LM393 和 LM2903 双路比较器
- ZHCSKK9AG October 1979 – January 2025 LM193 , LM2903 , LM2903B , LM2903V , LM293 , LM293A , LM393 , LM393A , LM393B
  
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Data Sheet

LM393B、LM2903B、LM193、LM293、LM393 和 LM2903 双路比较器

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1 特性

新增了 LM393B 和 LM2903B
改进了 B 版本的规格
- 最大额定值：高达 38V
- ESD 等级 (HBM)：2kV
- 低输入失调电压：0.37mV
- 低输入偏置电流：3.5nA
- 低电源电流：每个比较器 200µA
- 更短的响应时间（1 微秒）
- LM393B 的工作温度范围
- 采用 2 x 2mm 微型 WSON 封装
B 版本可直接取代 LM293、LM393 和 LM2903 的 A 和 V 版本
共模输入电压范围包括接地
差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±38V
低输出饱和电压
输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容

2 应用

3 说明

LM393B 和 LM2903B 器件是业界通用 LM393 和 LM2903 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流和更低的传播延迟，并通过专用 ESD 钳位提高了 2kV ESD 性能和输入耐用性。LM393B 和 LM2903B 可直接替代 LM293、LM393 和 LM2903（“A”和“V”版本）。

所有器件都包含两个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电运行。静态电流不受电源电压的影响。

器件信息

器件型号	封装⁽¹⁾	本体尺寸（标称值）
LM393B、LM2903B、LM193、LM293、LM293A、LM393、LM393A、LM2903、LM2903V、LM2903AV	SOIC (8)	4.90mm x 3.91mm
LM393B、LM2903B、LM293、LM293A、LM393、LM393A、LM2903	VSSOP (8)	3.00mm x 3.00mm
LM293、LM393、LM393A、LM2903	PDIP (8)	9.81mm × 6.35mm
LM393、LM393A、LM2903	SO (8)	6.20mm x 5.30mm
LM393B、LM2903B、LM393、LM393A、LM2903、LM2903V、LM2903AV	TSSOP (8)	3.00mm x 4.40mm
LM393B、LM2903B	SOT-23 (8)	2.90mm x 1.60mm
LM393B、LM2903B	WSON (8)	2.00mm × 2.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

系列比较表

规格	LM393B	LM2903B	LM393 LM393A	LM2903	LM2903V LM2903AV	LM193	LM293 LM293A	单位
电源电压	2 至 36	2 至 36	2 至 30	2 至 30	2 至 32	2 至 30	2 至 30	V
总电源电流（5V 至 36V 最大值）	0.6 至 0.8	0.6 至 0.8	1 至 2.5	1 至 2.5	1 至 2.5	1 至 2.5	1 至 2.5	mA
温度范围	-40 至 85	-40 至 125	0 至 70	-40 至 125	-40 至 125	-55 至 125	-25 至 85	°C
ESD (HBM)	2000	2000	1000	1000	1000	1000	1000	V
失调电压（整个温度范围内的最大值）	±4	±4	±9 ±4	±15	±15 ±4	±9	±9 ±4	mV
输入偏置电流（典型值/最大值）	3.5/25	3.5/25	25/250	25/250	25/250	25/100	25/250	nA
响应时间（典型值）	1	1	1.3	1.3	1.3	1.3	1.3	µsec

4 引脚配置和功能

LM393B LM2903B LM193 LM293 LM293A LM393 LM393A LM2903 LM2903V D、DGK、JG、P、PS、DDF 或 PW 封装8 引脚 SOIC、VSSOP、PDIP、SO 或 TSSOP顶视图

图 4-1 D、DGK、JG、P、PS、DDF 或 PW 封装8 引脚 SOIC、VSSOP、PDIP、SO 或 TSSOP顶视图

LM393B LM2903B LM193 LM293 LM293A LM393 LM393A LM2903 LM2903V DSG 封装8 引脚 WSON（带有外露焊盘）顶视图

将散热焊盘直接连接到 GND 引脚。

图 4-2 DSG 封装8 引脚 WSON（带有外露焊盘）顶视图

表 4-1 引脚功能

引脚			I/O	说明
名称	SOIC、VSSOP、PDIP、SO、DDF 和 TSSOP	DSG	I/O	说明
1OUT	1	1	输出	比较器 1 的输出引脚
1IN–	2	2	输入	比较器 1 的负输入引脚
1IN+	3	3	输入	比较器 1 的正输入引脚
GND	4	4	—	接地
2IN+	5	5	输入	比较器 2 的正输入引脚
2IN-	6	6	输入	比较器 2 的负输入引脚
2OUT	7	7	输出	比较器 2 的输出引脚
V_CC	8	8	—	正电源
散热焊盘	—	PAD	—	直接连接到 GND 引脚

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_CC	电源电压⁽²⁾	非 B 版本	-0.3	36	V
V_CC	电源电压⁽²⁾	仅限 B 版本	-0.3	38	V
V_ID	差分输入电压⁽³⁾	非 B 版本	-36	36	V
V_ID	差分输入电压⁽³⁾	仅限 B 版本	-38	38	V
V_I	输入电压（任一输入）	非 B 版本	-0.3	36	V
V_I	输入电压（任一输入）	仅限 B 版本	-0.3	38	V
I_IK	输入电流⁽⁵⁾			-50	mA
V_O	输出电压	非 B 版本	-0.3	36	V
V_O	输出电压	仅限 B 版本	-0.3	38	V
I_O	输出电流	非 B 版本		20	mA
I_O	输出电流	仅限 B 版本		25	mA
I_SC	输出接地短路的持续时间⁽⁴⁾		无限
T_J	运行虚拟结温			150	°C
T_stg	贮存温度		-65	150	°C

(1) 应力超出绝对最大额定值 下列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。生产过程中没有必要对米6体育平台手机版_好二三四的所有参数进行测试。

(2) 除差分电压外的所有电压值都是相对于网络接地而言的。

(3) 差分电压是相对于 IN– 的 IN+ 上的值。

(4) 从输出到 V_CC 的短路会导致过热，并且最终会发生损坏。

(5) 输入电流通过寄生二极管流至接地端并开启寄生晶体管，这会增加 I_CC 并可能导致输出不正确。移除输入电流后，将恢复正常运行。

5.2 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

		最小值	最大值	单位
电源电压，V_S = (V+) – (V–)	非 V 后缀器件	2	30	V
	V 后缀器件	2	32
	“B”版本器件	2	36
输入电压范围，V_IVR	非 B 后缀器件	0	(V+) – 2.0	V
输入电压范围，V_IVR	“B”版本器件	–0.1	(V+) – 2.0	V
环境温度，T_A	LM193	–55	125	°C
	LM2903、LM2903V、LM2903AV、LM2903B	-40	125
	LM393B	–40	85
	LM293、LM293A	–25	85
	LM393、LM393A	0	70

5.3 热性能信息：LMx93x 和 LM2903x

热指标⁽¹⁾		LMx93x、LM2903x					单位
		D (SOIC)	PW (TSSOP)	DGK (VSSOP)	DDF (SOT-23)	DSG (WSON)
		8 引脚	8 引脚	8 引脚	8 引脚	8 引脚
R_θJA	结至环境热阻	148.5	200.6	193.7	197.9	96.9	°C/W
R_θJC(top)	结至外壳（顶部）热阻	90.2	89.6	82.9	119.2	119.0	°C/W
R_θJB	结至电路板热阻	91.8	131.3	115.5	115.4	63.1	°C/W
ψ_JT	结至顶部特征参数	38.5	22.1	20.8	19.4	12.4	°C/W
ψ_JB	结至电路板特征参数	91.1	129.6	113.9	113.7	63.0	°C/W
R_θJC(bot)	结至外壳（底部）热阻	-	-	-	-	37.8	°C/W

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 报告。

5.4 ESD 等级

			值	单位
V_(ESD)	静电放电	人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾	±2000	V
V_(ESD)	静电放电	充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101⁽²⁾	±1000	V

(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

5.5 电气特性 LM393B

V_S = 5V，V_CM = (V–)；T_A = 25°C（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_IO	输入失调电压	V_S = 5 至 36V	-2.5	±0.37	2.5	mV
	输入失调电压	V_S = 5 至 36V，T_A = –40°C 至 +85°C	-4		4
	输入失调电压（仅 DGK 封装）	V_S = 5 至 36V	-3.5	±0.37	3.5
	输入失调电压（仅 DGK 封装）	V_S = 5 至 36V，T_A = –40°C 至 +85°C	-5		5
I_B	输入偏置电流			-3.5	-25	nA
I_B	输入偏置电流	T_A = -40°C 至 +85°C			-50	nA
I_OS	输入失调电流		-10	±0.5	10	nA
I_OS	输入失调电流	T_A = -40°C 至 +85°C	-25		25	nA
V_CM	共模范围 ⁽¹⁾	V_S = 3 至 36V	(V–)		(V+) – 1.5	V
V_CM	共模范围 ⁽¹⁾	V_S = 3 至 36V，T_A = –40°C 至 +85°C	(V–)		(V+) – 2.0	V
A_VD	大信号差分电压放大	V_S = 15V，V_O = 1.4V 至 11.4V； R_L ≥ 15k 至 (V+)	50	200		V/mV
V_OL	低电平输出电压 {相对于 (V–) 的摆幅}	I_SINK ≤ 4mA，V_ID = -1V		110	400	mV
V_OL	低电平输出电压 {相对于 (V–) 的摆幅}	I_SINK ≤ 4mA，V_ID = -1V T_A = –40°C 至 +85°C			550	mV
I_OH-LKG	高电平输出漏电流	(V+) = V_O= 5V；V_ID= 1V		0.1	20	nA
I_OH-LKG	高电平输出漏电流	(V+) = V_O= 36V；V_ID= 1V		0.3	50	nA
I_OL	低电平输出电流	V_OL= 1.5V；V_ID= -1V；V_S = 5V	6	21		mA
I_Q	静态电流（所有比较器）	V_S = 5V，空载		400	600	µA
I_Q	静态电流（所有比较器）	V_S = 36V，空载，T_A= –40°C 至 +85°C		550	800	µA

(1) 任一输入端的电压不应低于负 0.3V，否则输出可能不正确，并且可能产生过大的
输入电流。共模电压范围的上限受 V_CC – 2V 的限制。不过，只有一个输入需要
处于有效的共模范围之内，另一个输入可以达到最大 V_CC 电平，比较器会提供适当的输出状态。
任一输入或两个输入可以达到最大 V_CC 电平而不会造成损坏。

5.6 电气特性 LM2903B

V_S = 5V，V_CM = (V–)；T_A = 25°C（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_IO	输入失调电压	V_S = 5 至 36V	-2.5	±0.37	2.5	mV
	输入失调电压	V_S = 5 至 36V，T_A = –40°C 至 +125°C	-4		4
	输入失调电压（仅 DGK 封装）	V_S = 5 至 36V	-3.5	±0.37	3.5
	输入失调电压（仅 DGK 封装）	V_S = 5 至 36V，T_A = –40°C 至 +125°C	-5		5
I_B	输入偏置电流			-3.5	-25	nA
I_B	输入偏置电流	T_A = -40°C 至 +125°C			-50	nA
I_OS	输入失调电流		-10	±0.5	10	nA
I_OS	输入失调电流	T_A = -40°C 至 +125°C	-25		25	nA
V_CM	共模范围 ⁽¹⁾	V_S = 3 至 36V	(V–)		(V+) – 1.5	V
V_CM	共模范围 ⁽¹⁾	V_S = 3 至 36V，T_A = –40°C 至 +125°C	(V–)		(V+) – 2.0	V
A_VD	大信号差分电压放大	V_S = 15V，V_O = 1.4V 至 11.4V； R_L ≥ 15k 至 (V+)	50	200		V/mV
V_OL	低电平输出电压 {相对于 (V–) 的摆幅}	I_SINK ≤ 4mA，V_ID = -1V		110	400	mV
V_OL	低电平输出电压 {相对于 (V–) 的摆幅}	I_SINK ≤ 4mA、V_ID = -1V T_A = –40°C 至 +125°C			550	mV
I_OH-LKG	高电平输出漏电流	(V+) = V_O= 5V；V_ID= 1V		0.1	20	nA
I_OH-LKG	高电平输出漏电流	(V+) = V_O= 36V；V_ID= 1V		0.3	50	nA
I_OL	低电平输出电流	V_OL= 1.5V；V_ID= -1V；V_S = 5V	6	21		mA
I_Q	静态电流（所有比较器）	V_S = 5V，空载		400	600	µA
I_Q	静态电流（所有比较器）	V_S = 36V，空载，T_A= –40°C 至 +125°C		550	800	µA