ZHCSIU0D February   2000  – September 2018 LM4051-N

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1. 1.2 VREF 简化原理图
      2.      可调基准简化原理图
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 LM4051-1.2 Electrical Characteristics
    6. 6.6 LM4051-ADJ Electrical Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 LM4051-N - 1.2 V
      2. 8.4.2 LM4051-N - ADJ
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Shunt Regulator
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 Adjustable Shunt Regulator
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
    3. 9.3 System Examples
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBZ|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

说明

LM4051-N 精密电压基准非常适合空间关键型 应用,可采用超小型 (3mm x 1.3mm) SOT-23 表面贴装封装。LM4051-N 采用了先进的设计,无需使用外部稳定电容器,同时可确保任何电容负荷下的稳定性,这使得 LM4051-N 非常易于使用。它还提供了固定 (1.225V) 和可调节反向击穿电压,可帮助设计人员进一步减少设计工作。LM4051-1.2 和 LM4051-ADJ 的最低工作电流为 60μA。两个版本都具有 12mA 的最高工作电流。

LM4051-N 具有三种级别(A、B 和 C)。最佳级别器件 (A) 的初始精度为 0.1%,而 B 级的初始精度为 0.2%,C 级的初始精度为 0.5%,所有级别的温度系数均为 50 ppm/ ̊C,保证范围为 −40 ̊C 至 125 ̊C。

LM4051-N 在晶圆筛选期间使用了保险丝和基准电压齐纳击穿修整,以确保主要部件在 25 ̊C 下的精度优于 ± 0.1%(A 级)。

器件信息(1)

器件编号 封装 封装尺寸(标称值)
LM4051-N SOT-23 (3) 3.00mm x 1.30mm
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。