该器件提供 N 沟道逻辑 MOSFET 驱动器，此类驱动器可拉取 2.2A 的峰值电流和灌入 3.3A 的峰值电流。这些驱动器由 VCC 或 HB 供电，并在 EN 大于 V_EN 且 VCC 大于 V_VCC-UVLO 时启用。

当低边驱动器导通时，SW 引脚电压大概为 0V，而 C_HB 通过自举二极管从 VCC 充电。在升压配置中，自举二极管在内部从 VCC 连接到 HB1。在降压配置中连接外部自举二极管。C_HB 的建议最小值为 0.1μF。

LO 和 HO 输出采用自适应死区时间方法进行控制，这可确保两个输出不会同时启用。当器件命令启用 LO 时，自适应死区时间逻辑会先禁用 HO，并等待 HO-SW 电压下降。LO 在一小段延迟后启用。类似地，HO 导通会延迟，直到 LO-PGND 电压已放电。HO 在一小段延迟后启用。自适应死区时间电路可确保当 Q_G@5V 在整个温度范围内小于 40nC 时，不会同时启用这两个输出。

如果最小 BIAS 引脚电压低于 V_VCC-REG，则选择 MOSFET 时应格外小心。尤其是在以低 BIAS 输入电压启动期间，MOSFET 的栅极平坦电压应小于 BIAS 引脚电压，以全面增强 MOSFET。如果在启动期间驱动器输出电压低于 MOSFET 栅极平坦电压，则转换器可能无法正常启动，并且可能会在高功耗状态下保持在最大占空比。通过选择阈值较低的 MOSFET 或在 BIAS 引脚电压足够时导通通道，可以避免这种情况。

图 8-23 驱动器结构（内部自举二极管仅在升压模式下可用）

在升压配置中，断续模式保护由 HB UVLO 触发。如果 HB 至 SW 电压低于 HB UVLO 阈值 (V_HB-UVLO)，则 LO 将导通达 75ns 来为升压电容器充电。该器件允许多达四次连续的开关操作用于充电。在四次连续的开关操作（用于自举充电）后，通道将在后面的 12 个周期跳过该开关操作。如果通道在四组（每组四次）连续的开关操作（用于充电）后未能为升压电容器充满电，通道将停止开关操作，并进入断续模式故障保护。

如果需要，开关节点电压的压摆率可由与 HB 引脚串联的电阻器（在降压配置中可高达 5Ω）调节。如果需要，请使用与下拉 PNP 晶体管并联的栅极电阻器。按这种方式添加栅极电阻器时务必小心，因为这可能导致有效死区时间缩短。

图 8-24 压摆率控制 (a) 用于降压的 HB 电阻器，(b) 具有下拉 PNP 晶体管的栅极电阻器