功率 MOSFET 的选择对直流/直流稳压器性能有很大影响。具有低导通电阻 R_DS(on) 的 MOSFET 可以减少导通损耗，而低寄生电容则可以缩短转换时间和降低开关损耗。通常，MOSFET 的 R_DS(on) 越小，栅极电荷和输出电荷（分别为 Q_G 和 Q_OSS）就越大，反之亦然。因此，R_DS(on) 和 Q_G 的乘积通常指定为 MOSFET 品质因数。给定封装的低热阻确保 MOSFET 功率损耗不会导致 MOSFET 芯片温度过高。

在 LM5143 应用中，影响功率 MOSFET 选择的主要参数如下：

• V_GS=5V 时的 R_DS(on)
• 漏极到源极电压额定值 BV_DSS 通常为 40V、60V 或 80V，具体取决于最大输入电压。
• V_GS = 5V 时的栅极电荷参数
• 相关输入电压下的输出电荷 Q_OSS
• 体二极管反向恢复电荷 Q_RR
• 栅极阈值电压 V_GS(th)，从 MOSFET 数据表内 Q_G 与 V_GS 之间的关系图中的米勒平坦区域得出。由于米勒平坦区域电压通常位于 2V 至 3V 范围内，LM5143 的 5V 栅极驱动幅度可以在导通时提供足够增强的 MOSFET，并在关断时针对 Cdv/dt 击穿提供裕度。

表 10-1 中所示的公式总结了一个通道的 MOSFET 相关功率损耗，其中后缀 1 和 2 分别表示高侧和低侧 MOSFET 参数。虽然这里考虑了电感器纹波电流带来的影响，但却不包括与寄生电感和 SW 节点振铃相关的损耗等二阶损耗模式。请查看 LM5143 快速入门计算器。该计算器可从 LM5143 米6体育平台手机版_好二三四文件夹下载，以协助计算功率损耗。

表 10-1 MOSFET 功率损耗

功率损耗模式	高侧 MOSFET	低侧 MOSFET
MOSFET 导通(2)(3)
MOSFET 开关		可忽略
MOSFET 栅极驱动(1)
MOSFET 输出电荷(4)		可忽略
体二极管 导通	不适用
体二极管 反向恢复(5)

高侧（控制）MOSFET 在 PWM 导通时间（或 D 间隔）期间承载电感器电流，通常会导致大多数的开关损耗，因此务必要选择能够平衡导通损耗和开关损耗的高侧 MOSFET。高侧 MOSFET 的总功率损耗是以下几项之和：

• 导通导致的损耗
• 开关（电压与电流重叠）
• 输出电荷
• 通常情况下体二极管反向恢复所导致的净损耗的三分之二

当高侧 MOSFET 关断时（或 1–D 间隔），低侧（同步）MOSFET 承载电感器电流。低侧 MOSFET 开关损耗可以忽略不计，因为它在零电压处进行切换。在转换死区时间期间，电流仅进行换向（从通道到体二极管），反之亦然。当两个 MOSFET 都关断时，LM5143 及其自适应栅极驱动时序会最大限度地减少体二极管导通损耗。此类损耗与开关频率直接成正比。

在高降压比应用中，低侧 MOSFET 会在开关周期的大多数时候承载电流。因此，若要获得高效率，必须针对 R_DS(on) 优化低侧 MOSFET。如果导通损耗过大或目标 R_DS(on) 低于单个 MOSFET 中的可用电阻，请并联两个低侧 MOSFET。低侧 MOSFET 的总功率损耗等于以下几项损耗之和：通道导通损耗、体二极管导通损耗，以及通常情况下体二极管反向恢复所导致的净损耗的三分之一。LM5143 非常适合用于驱动 TI 的NexFET™ 功率 MOSFET 米6体育平台手机版_好二三四系列。