ZHCSFV4B December 2016 – June 2017 LM5166
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 修订历史记录
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 Integrated Power MOSFETs
- 7.3.2 Selectable PFM or COT Mode Converter Operation
- 7.3.3 Low Dropout Operation and 100% Duty Cycle Mode
- 7.3.4 Adjustable Output Voltage (FB)
- 7.3.5 Adjustable Current Limit
- 7.3.6 Precision Enable (EN) and Hysteresis (HYS)
- 7.3.7 Power Good (PGOOD)
- 7.3.8 Configurable Soft Start (SS)
- 7.3.9 Short-Circuit Operation
- 7.3.10 Thermal Shutdown
- 7.4 Device Functional Modes
-
8 Applications and Implementation
- 8.1 Application Information
- 8.2
Typical Applications
- 8.2.1
Design 1: Wide VIN, Low IQ, High-Efficiency COT Converter Rated at 5 V, 500 mA
- 8.2.1.1 Design Requirements
- 8.2.1.2
Detailed Design Procedure
- 8.2.1.2.1 Custom Design With WEBENCH® Tools
- 8.2.1.2.2 Feedback Resistors - RFB1, RFB2
- 8.2.1.2.3 Switching Frequency - RT
- 8.2.1.2.4 Filter Inductance - LF
- 8.2.1.2.5 Output Capacitors - COUT
- 8.2.1.2.6 Ripple Generation Network - RESR, CFF
- 8.2.1.2.7 Input Capacitor - CIN
- 8.2.1.2.8 Soft-Start Capacitor - CSS
- 8.2.1.2.9 Application Curves
- 8.2.2 Design 2: Wide VIN, Low IQ COT Converter Rated at 3.3 V, 500 mA
- 8.2.3 Design 3: High-Density PFM Converter Rated at 3.3 V, 0.3 A
- 8.2.4 Design 4: Wide VIN, Low IQ PFM Converter Rated at 5 V, 500 mA
- 8.2.5
Design 5: 12-V, 300-mA COT Converter Operating From 24-V or 48-V Input
- 8.2.5.1 Design Requirements
- 8.2.5.2
Detailed Design Procedure
- 8.2.5.2.1 Peak Current Limit Setting - RILIM
- 8.2.5.2.2 Switching Frequency - RRT
- 8.2.5.2.3 Inductor - LF
- 8.2.5.2.4 Input and Output Capacitors - CIN, COUT
- 8.2.5.2.5 Feedback Resistors - RFB1, RFB2
- 8.2.5.2.6 Ripple Generation Network - RA, CA, CB
- 8.2.5.2.7 Undervoltage Lockout Setpoint - RUV1, RUV2, RHYS
- 8.2.5.2.8 Soft Start - CSS
- 8.2.5.3 Application Curves
- 8.2.1
Design 1: Wide VIN, Low IQ, High-Efficiency COT Converter Rated at 5 V, 500 mA
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11器件和文档支持
- 12机械、封装和可订购信息
11 器件和文档支持
11.1 器件支持
11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
TI 发布的与第三方米6体育平台手机版_好二三四或服务有关的信息，不能构成与此类米6体育平台手机版_好二三四或服务或保修的适用性有关的认可，不能构成此类米6体育平台手机版_好二三四或服务单独或与任何 TI 米6体育平台手机版_好二三四或服务一起的表示或认可。
11.1.2 开发支持
- LM5166 快速入门计算器
- LM5166 仿真模型
- 如需 TI 的参考设计库，请访问 TIDesigns
- 如需 TI WEBENCH 设计环境，请访问 WEBENCH® 设计中心
11.1.3 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计
请单击此处，使用LM5166 器件并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计。
- 在开始阶段键入输出电压 (VIN)、输出电压 (VOUT) 和输出电流 (IOUT) 要求。
- 使用优化器拨盘优化关键设计参数，如效率、封装和成本。
- 将生成的设计与米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 的其他解决方案进行比较。
WEBENCH Power Designer 提供一份定制原理图以及罗列实时价格和组件可用性的物料清单。
在多数情况下，可执行以下操作：
- 运行电气仿真，观察重要波形以及电路性能
- 运行热性能仿真，了解电路板热性能
- 将定制原理图和布局方案导出至常用 CAD 格式
- 打印设计方案的 PDF 报告并与同事共享
有关 WEBENCH 工具的详细信息，请访问 www.ti.com/WEBENCH。
11.2 文档支持
- 《LM5166EVM-C50A EVM 用户指南》(SNVU485)
- 《LM5166EVM-C33A EVM 用户指南》(SNVU544)
- 《低 IQ 同步降压转换器支持智能场传感器 应用》(SLYT671)
- 《低 EMI 降压转换器为具有 BLE 连接的多变量传感器发送器供电》(SLYT693)
- 《为您的 COT 降压转换器选择理想的纹波生成网络》(SNVA776)
- TI 参考设计：
- TIDA-01395 具有宽输入电压转换器和电池量表且适用于智能恒温器的 24V 交流电源级 (TIDUCW0)
- TIDA-01358 具有宽输入电压转换器和备用电池且适用于智能恒温器的 24V 交流电源级 (TIDUCE1)
- TIPD215 带自适应电源管理、功率低于 1W 的四通道模拟输出模块参考设计 (TIDUCV5)
- TIDA-00666 具有低功耗 Bluetooth® 连接且由 4 至 20mA 电流回路供电的场发射器 (TIDUC27)
- Industrial Strength 博客：
- 白皮书：
- 《AN-2162：轻松解决直流/直流转换器的传导 EMI 问题》(SNVA489)
- 《汽车启动仿真器用户指南》(SLVU984)
- 《使用新的热指标》(SBVA025)
- 《半导体和 IC 封装热指标》(SPRA953)
11.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至米6体育平台手机版_好二三四 TI.com.cn 上的器件米6体育平台手机版_好二三四文件夹。请单击右上角的通知我 进行注册，即可收到任意米6体育平台手机版_好二三四信息更改每周摘要。有关更改的详细信息，请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。
11.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
-
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
-
设计支持 TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
WEBENCH is a registered trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.6 静电放电警告
ESD 可能会损坏该集成电路。米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
11.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.