辅助电源的总负载电流主要由总 MOSFET 栅极电荷 Qg 确定。假设系统采用多个 LM5171 来实现 M 个相位，且每个相位使用 N 个并联的 MOSFET 作为一个开关。每个相位有 2x N 个 MOSFET 要驱动。然后，通过 VCC 辅助电源驱动这些 MOSFET 的总电流由方程式 100 确定。

方程式 100.

其中

• 5mA 是最坏情况下每个相位的控制逻辑电路使用的最大电流。

在将两个并联 MOSFET 用作一个开关的四相系统示例中（其中 M = 4，N = 2，Q_g = 100nC，F_sw = 100KHz），辅助电源必须至少能够支持以下总负载电流：

方程式 101.

在将相同并联 MOSFET 用作一个开关的八相系统示例中，辅助电源必须能够支持以下总负载电流：

方程式 102.

如辅助电源和电压基准（VCC、VDD 和 VREF）中所述，LM5171 集成的 LDO 驱动器可以驱动外部 N 沟道增强型 MOSFET，从而在 VCC 引脚上产生 9V 辅助电源电压。此应用中选择了 PMT560ENEAX。

但是，外部 MOSFET 的损耗可能相当高，尤其是在高负载电流和高输入电压条件下。可能优先选择外部 10V 至 12V VCC 辅助电源。如果系统中不能提供此电源电压，用户可以使用降压/升压或 SEPIC 转换器从 LV 端口产生该电压，或者使用降压转换器从 HV 端口产生该电压。请参阅米6体育平台手机版_好二三四 (TI) LM25118 和 LM5118 来实现降压/升压转换器，参阅 LM5158 来实现 SEPIC 转换器，或参阅 LM5160 和 LM5161 来实现降压转换器。

必须靠近 VCC 引脚和 PGND 引脚放置一个旁路电容器。此应用中选择了 2.2µF、16V 陶瓷电容器。