ZHCSWL4
June 2024
LM5171
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
ESD 等级
5.3
建议运行条件
5.4
热性能信息
5.5
电气特性
5.6
时序要求
5.7
典型特性
6
详细说明
6.1
概述
6.1.1
器件配置 (CFG) 和 I2C 地址
6.1.2
IC 运行模式的定义
6.2
功能方框图
6.3
特性说明
6.3.1
辅助电源和电压基准(VCC、VDD 和 VREF)
6.3.2
欠压锁定 (UVLO) 和控制器启用或禁用
6.3.3
高电压输入(HV1、HV2)
6.3.4
电流检测放大器
6.3.5
控制命令
6.3.5.1
通道使能命令(EN1、EN2)
6.3.5.2
方向命令(DIR1 和 DIR2)
6.3.5.3
通道电流设置命令(ISET1 和 ISET2)
6.3.6
通道电流监测器(IMON1、IMON2)
6.3.6.1
单个通道电流监测器
6.3.6.2
多相总电流监测
6.3.7
逐周期峰值电流限制 (IPK)
6.3.8
内部电流环路误差放大器
6.3.9
外部电压环路误差放大器
6.3.10
软启动、二极管仿真和强制 PWM 控制(SS/DEM1 和 SS/DEM2)
6.3.10.1
通过 SS/DEM 引脚进行软启动控制
6.3.10.2
DEM 编程
6.3.10.3
FPWM 编程以及动态 FPWM 和 DEM 更改
6.3.10.4
SS 引脚作为重启计时器
6.3.10.4.1
OVP 中的重启计时器
6.3.10.4.2
DIR 更改后的重启计时器
6.3.11
栅极驱动输出、死区时间编程和自适应死区时间(HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD)
6.3.12
紧急锁存关断 (DT/SD)
6.3.13
PWM 比较器
6.3.14
振荡器 (OSC)
6.3.15
同步到外部时钟(SYNCI、SYNCO)
6.3.16
过压保护 (OVP)
6.3.17
多相配置(SYNCO、OPT)
6.3.17.1
多相星型配置
6.3.17.2
两相、三相或四相并行运行菊花链配置
6.3.17.3
六相或八相并行运行菊花链配置
6.3.18
热关断
6.4
编程
6.4.1
动态死区时间调整
6.4.2
UVLO 编程
6.5
寄存器
6.5.1
I2C 串行接口
6.5.2
I2C 总线运行
6.5.3
时钟延展
6.5.4
数据传输格式
6.5.5
从定义的寄存器地址进行单次读取
6.5.6
从定义的寄存器地址开始进行顺序读取
6.5.7
对定义的寄存器地址进行单次写入
6.5.8
从定义的寄存器地址开始进行顺序写入
6.5.9
REGFIELD 寄存器
7
应用和实施
7.1
应用信息
7.1.1
小信号模型
7.1.1.1
电流环路小信号模型
7.1.1.2
电流环路补偿
7.1.1.3
电压环路小信号模型
7.1.1.4
电压环路补偿
7.2
典型应用
7.2.1
60A、双相、48V 至 12V 双向转换器
7.2.1.1
设计要求
7.2.1.2
详细设计过程
7.2.1.2.1
确定占空比
7.2.1.2.2
振荡器编程
7.2.1.2.3
功率电感器、RMS 和峰值电流
7.2.1.2.4
电流检测 (RCS)
7.2.1.2.5
电流设置限制 (ISETx)
7.2.1.2.6
峰值电流限制
7.2.1.2.7
功率 MOSFET
7.2.1.2.8
辅助电源
7.2.1.2.9
自举二极管
7.2.1.2.10
OVP
7.2.1.2.11
死区时间
7.2.1.2.12
通道电流监测器 (IMONx)
7.2.1.2.13
UVLO 引脚用途
7.2.1.2.14
HVx 引脚配置
7.2.1.2.15
环路补偿
7.2.1.2.16
软启动
7.2.1.2.17
PWM 转换为 ISET 引脚上的电压
7.2.1.2.18
正确端接未使用的引脚
7.2.1.3
应用曲线
7.2.1.3.1
效率
7.2.1.3.2
阶跃负载响应
7.2.1.3.3
双通道交错运行
7.2.1.3.4
典型启动和关断
7.2.1.3.5
DEM 和 FPWM
7.2.1.3.6
DEM 和 FPWM 之间的模式转换
7.2.1.3.7
ISET 跟踪和预充电
7.2.1.3.8
保护功能
7.3
电源相关建议
7.4
布局
7.4.1
布局指南
7.4.2
布局示例
8
器件和文档支持
8.1
器件支持
8.1.1
开发支持
8.2
接收文档更新通知
8.3
支持资源
8.4
商标
8.5
静电放电警告
8.6
术语表
9
修订历史记录
10
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
PHP|48
MPQF051B
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
PHP|48
PPTD259B
订购信息
zhcswl4_oa
5.2
ESD 等级
值
单位
V
(ESD)
静电放电
人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准
(1)
HBM ESD 分类
±2000
V
充电器件模型 (CDM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准
(2)
所有引脚
±500
转角引脚(1、12、13、24、25、36、37、48)
±750
(1)
JEDEC 文档 JEP155 指出:500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。若部署必要的预防措施,则可以在低于 500V HBM 时进行生产。列为 ±2000V 的引脚实际上可能具有更高的性能。
(2)
JEDEC 文档 JEP157 指出:250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。如果具备必要的预防措施,则可以在低于 250V CDM 时进行生产。列为 ±500V 的引脚实际上可能具有更高的性能。
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