LM5190-Q1 包含栅极驱动器和一个关联的高侧电平转换器来驱动外部 N 沟道 MOSFET。高侧栅极驱动器与内部自举二极管 D_BOOT 和自举电容器 C_BOOT 搭配使用。在低侧 MOSFET 的导通间隔期间，SW 电压约为 0V，而 CBOOT 通过内部 D_BOOT 从 VCC 充电。TI 建议使用短迹线在 CBOOT 和 SW 引脚之间连接一个 0.1μF 陶瓷电容器。

LO 和 HO 输出由自适应死区时间方法进行控制，因此两个输出（HO 和 LO）绝不会同时启用，从而防止出现跨导。在允许启用 LO 驱动器输出之前，自适应死区时间逻辑会先禁用 HO 并等待 HO 电压降至 1.5V（典型值）以下。然后，会允许 LO 在短暂延迟（HO 下降至 LO 上升延迟）后启用。同样，HO 导通会延迟，直到 LO 电压降至 1.5V 以下。这项技术确保任何尺寸的 N 沟道 MOSFET 实现（包括并联 MOSFET 配置）具有足够的死区时间。

添加串联栅极电阻器时要格外小心，因为这可能影响有效死区时间。所选的高侧 MOSFET 确定了相应自举电容值 C_BOOT，如方程式 13 所示。

其中

• Q_G 是高侧 MOSFET 在适用栅极驱动电压下的总栅极电荷。
• ΔV_CBOOT 是高侧 MOSFET 驱动器在导通后的电压变化。

若要确定 C_BOOT，请选择合适的 ΔV_CBOOT，使可用的栅极驱动电压不会受到显著影响。ΔV_CBOOT 的可接受范围为 100mV 至 300mV。自举电容器必须为低 ESR 陶瓷电容器，典型值为 0.1µF。所选 FET 应确保最小输入电源电压高于 FET 的栅极平坦区域电压加上 0.5V，以便 FET 导通时在欧姆区域工作。