对于集成栅极驱动器和辅助电源 LDO 稳压器的 PWM 控制器，以下方面会极大地影响其工作温度范围：

• 功率 MOSFET 的平均栅极驱动电流要求
• 开关频率
• 工作输入电源电压（影响偏置稳压器 LDO 压降，进而影响功率损耗）
• 封装的热特性和工作环境

为了使 PWM 控制器在特定的温度范围内发挥作用，封装必须允许有效地散发所产生的热量，同时使结温保持在额定限值以内。

VQFN 封装提供了一种通过封装底部外露散热焊盘实现半导体芯片散热的方式。封装的外露焊盘热连接到器件的基板。此连接可以显著改善散热，并且 PCB 设计必须采用导热焊盘、散热通孔和接地平面，以构成完整的散热系统。器件的外露焊盘直接焊接在器件封装下方 PCB 的接地铜层上，从而将热阻降至一个很小的值。

导热焊盘与内部和焊接面接地平面之间连接着多个直径为 0.3mm 的过孔，这些过孔对帮助散热非常重要。在多层 PCB 设计中，通常会在功率元件下方的 PCB 层上放置一个实心接地平面。这种布局不仅为功率级电流提供了一个平面，而且还为发热器件提供了一个热传导路径。

MOSFET 的散热特性也非常重要。高侧 MOSFET 的漏极焊盘通常连接到 VIN 层来实现散热。低侧 MOSFET 的漏极焊盘则连接到 SW 层，但 SW 层的面积应保持尽可能小，以缓解 EMI 问题。