ZHCSQX2 July   2024 LM5190-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 可润湿侧翼
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  输入电压范围 (VIN)
      2. 6.3.2  高压辅助电源稳压器（VCC、BIAS）
      3. 6.3.3  精密使能端 (EN)
      4. 6.3.4  电源正常监视器 (PGOOD)
      5. 6.3.5  开关频率 (RT)
      6. 6.3.6  低压降模式
      7. 6.3.7  双随机展频 (DRSS)
      8. 6.3.8  软启动
      9. 6.3.9  输出电压设定值 (FB)
      10. 6.3.10 最短可控导通时间
      11. 6.3.11 电感器电流检测（ISNS+、VOUT）
      12. 6.3.12 电压环路误差放大器
      13. 6.3.13 电流监测器、可编程电流限制和电流环路误差放大器（IMON/ILIM，ISET）
      14. 6.3.14 双环路架构
      15. 6.3.15 PWM 比较器
      16. 6.3.16 斜率补偿
      17. 6.3.17 高侧和低侧栅极驱动器（HO、LO）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 睡眠模式
      2. 6.4.2 强制 PWM 模式和同步 (FPWM/SYNC)
      3. 6.4.3 热关断
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 动力总成元件
        1. 7.1.1.1 降压电感器
        2. 7.1.1.2 输出电容器
        3. 7.1.1.3 输入电容器
        4. 7.1.1.4 功率 MOSFET
        5. 7.1.1.5 EMI 滤波器
      2. 7.1.2 误差放大器和补偿
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 高效 400kHz CC-CV 稳压器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 Excel 快速启动工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 推荐组件
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 功率级布局
        2. 7.4.1.2 栅极驱动布局
        3. 7.4.1.3 PWM 控制器布局
        4. 7.4.1.4 热设计和布局
        5. 7.4.1.5 接地平面设计
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
        1. 8.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 8.2.1.2 热设计资源
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.1.1 功率级布局

  • 输入电容器、输出电容器和 MOSFET 是降压稳压器功率级的构建元件，并通常放在 PCB 的顶层上。可以利用任何系统级空气流动，因此可以尽可能地发挥对流热传递的优势。在双面 PCB 布局中，小信号元件通常放置在底部。至少插入一个内部平面并接地以实现屏蔽，并使小信号迹线与嘈杂的电力迹线和线路分离开。
  • 直流/直流稳压器具有多个高电流环路。尽可能地减小这些环路的面积，以抑制产生的开关噪声并优化开关性能。
    • 环路 1：要尽可能缩小的最重要环路面积。其对应的路径是从输入电容器到高侧和低侧 MOSFET，然后再通过接地连接回到输入电容器。将输入电容器负端子连接到低侧 MOSFET 的源极附近。同样，将输入电容器正端子连接到高侧 MOSFET 的漏极附近。
    • 环路 2：环路 2 不像环路 1 那么重要。其对应的路径是从低侧 MOSFET 到电感器和输出电容器，再通过接地线回到低侧 MOSFET 的源极。尽可能地靠近接地端连接低侧 MOSFET 的源极和输出电容器的负端子。
  • PCB 迹线定义为 SW 节点，它连接到高侧 MOSFET 的源极、低侧 MOSFET 的漏极和电感器的高压侧，必须尽可能短而宽。不过，SW 连接是注入 EMI 的来源，因此不得过大。
  • 遵循 MOSFET 制造商建议的任何 MOSFET 布局注意事项，包括焊盘几何形状和焊锡膏模版设计。
  • SW 引脚连接到功率转换级的开关节点并用作高侧栅极驱动器的返回路径。环路 1 固有的寄生电感和两个功率 MOSFET 的输出电容 (COSS) 构成了一个谐振电路，该电路会在 SW 节点处引入高频 (> 50MHz) 振铃。如果不加控制，此振铃的电压峰值会显著高于输入电压。确保峰值振铃幅度没有超过 SW 引脚的绝对最大额定值限制。在很多情况下，从 SW 节点连接到 GND 的串联电阻器和电容器缓冲器网络会抑制该振铃并减小峰值幅度。如果测试表明 SW 引脚处的振铃幅度过大，则可以在需要时添加缓冲器元件。
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