ZHCSQX2 July   2024 LM5190-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 可润湿侧翼
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  输入电压范围 (VIN)
      2. 6.3.2  高压辅助电源稳压器（VCC、BIAS）
      3. 6.3.3  精密使能端 (EN)
      4. 6.3.4  电源正常监视器 (PGOOD)
      5. 6.3.5  开关频率 (RT)
      6. 6.3.6  低压降模式
      7. 6.3.7  双随机展频 (DRSS)
      8. 6.3.8  软启动
      9. 6.3.9  输出电压设定值 (FB)
      10. 6.3.10 最短可控导通时间
      11. 6.3.11 电感器电流检测（ISNS+、VOUT）
      12. 6.3.12 电压环路误差放大器
      13. 6.3.13 电流监测器、可编程电流限制和电流环路误差放大器（IMON/ILIM，ISET）
      14. 6.3.14 双环路架构
      15. 6.3.15 PWM 比较器
      16. 6.3.16 斜率补偿
      17. 6.3.17 高侧和低侧栅极驱动器（HO、LO）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 睡眠模式
      2. 6.4.2 强制 PWM 模式和同步 (FPWM/SYNC)
      3. 6.4.3 热关断
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 动力总成元件
        1. 7.1.1.1 降压电感器
        2. 7.1.1.2 输出电容器
        3. 7.1.1.3 输入电容器
        4. 7.1.1.4 功率 MOSFET
        5. 7.1.1.5 EMI 滤波器
      2. 7.1.2 误差放大器和补偿
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 高效 400kHz CC-CV 稳压器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 Excel 快速启动工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 推荐组件
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 功率级布局
        2. 7.4.1.2 栅极驱动布局
        3. 7.4.1.3 PWM 控制器布局
        4. 7.4.1.4 热设计和布局
        5. 7.4.1.5 接地平面设计
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
        1. 8.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 8.2.1.2 热设计资源
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = –40°C 至 125°C。典型值在 TJ = 25°C、VIN = 12V 且 EN 连接到 VIN 的条件下测得（除非另有说明）。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (VIN)
IQ-SD VIN 关断电流 VEN = 0V 2.3 4.5 µA
IQ-SBY VIN 待机电流 非开关，0.5V ≤ VEN ≤ 1V 100 µA
ISLEEP1 休眠电流，5V VIN = 24V，VVOUT = VBIAS = 5.0V，在睡眠模式下，VFPWM/SYNC = AGND，ISET 悬空 15 30 µA
ISLEEP2 休眠电流，12V VIN = 24V，VVOUT = VBIAS = 12V，在睡眠模式下，VFPWM/SYNC = AGND，ISET 悬空 20 35 µA
使能 (EN)
VSBY-TH 关断至待机阈值 VEN 上升 0.55 V
VEN-TH 使能电压上升阈值 VEN 上升，启用开关 0.95 1.0 1.05 V
VEN-HYS 使能磁滞电压 100 mV
内部 LDO (VCC)
VVCC-REG VCC 稳压电压 IVCC = 0mA 至 110mA 7.125 7.5 7.875 V
VVCC-UVLO VCC UVLO 上升阈值 4.65 4.8 4.95 V
VVCC-HYS VCC UVLO 迟滞 425 mV
IVCC-LIM 内部 LDO 短路电流限制 135 220 350 mA
外部偏置 (BIAS)
VBIAS-TH VIN 至 VBIAS 切换上升阈值 8.55 9 9.45 V
VBIAS-HYS VIN 至 VBIAS 切换迟滞 400 mV
基准电压
VREF-V FB 稳压电压 VIMON = 0V 792 800 808 mV
VREF-I 电流环路基准电压 VFB = 0V 0.99 1 1.01 V
输出电压 (VOUT)
VOUT-5V 5V 输出电压设定点 FB 到 AGND 4.95 5.0 5.05 V
VOUT-12V 12V 输出设定点 FB 至 VCC，VIN = 24V 11.88 12 12.12 V
误差放大器 (COMP)
gm-VEA 电压环路 EA 跨导 ΔVFB = 100mV 1000 µS
gm-IEA 电流环路 EA 跨导 ΔVIMON = 100mV 1000 µS
IFB 误差放大器输入偏置电流 75 nA
ICOMP-SRC EA 源电流 VCOMP = 1V 120 µA
ICOMP-SINK EA 灌电流 VCOMP = 1V 120 µA
输出电流监测器 (IMON/ILIM)
gm-IMON 监测 VCS 的放大器增益 VCS = 40mV 1.91 2 2.09 µA/mV
IOFFSET 监测放大器失调电流 VCS = 0mV 22.5 25 27.5 µA
电流设置 (ISET)
IISET ISET 源电流 9 10 11 µA
强制 PWM 模式 (FPWM/SYNC)
VZC-SW 过零阈值 SW-PGND 阈值 -5.5 mV
开关频率
VRT RT 引脚稳压电压 10kΩ < RRT < 220kΩ 1 V
FSW1 开关频率 1 VIN = 12V，RRT = 242kΩ 至 AGND 90 100 110 kHz
FSW2 开关频率 2 VIN = 12V，RRT = 10kΩ 至 AGND 2 2.2 2.4 MHz
VSLOPE 峰值斜坡补偿振幅 以 ISNS+ 至 VOUT 输入为基准 45 mV
tON-MIN 最短导通时间 26 50 ns
tOFF-MIN 最短关断时间 80 125 ns
电源正常 (PGOOD)
VPG-UV 电源正常 UV 跳变电平 相对于调节电压下降 90% 92% 94%
VPG-OV 电源正常 OV 跳变电平 相对于调节电压上升 108% 110% 112%
VPG-UV-HYST 电源正常 UV 迟滞 3.7%
VPG-OV-HYST 电源正常 OV 迟滞 3.7%
VPG-OL PG 电压 集电极开路，IPG = 4mA 0.8 V
过压保护
VOVTH-RISING 过压阈值 相对于调节电压上升 108% 110% 112%
VOVTH-HYST 过压阈值迟滞 3.7%
启动（软启动）
tSS-INT 内部固定软启动时间 1.9 2.75 3.6 ms
升压电路
VBOOT-DROP 内部二极管正向压降 ICBOOT = 20mA，VCC 至 CBOOT 0.8 1 V
IBOOT CBOOT 至 SW 静态电流，未开关 VEN = 5V，VCBOOT-SW = 7.5V 25 µA
VBOOT-SW-UV-F CBOOT 至 SW UVLO 下降阈值 VCBOOT-SW 下降 2.75 3.1 3.75 V
VBOOT-SW-UV-HYS CBOOT 至 SW UVLO 迟滞 0.3 V
高侧栅极驱动器 (HO)
VHO-HIGH HO 高电平状态输出电压 IHO = –100mA，VHO-HIGH = VCBOOT – VHO 300 mV
VHO-LOW HO 低电平状态输出电压 IHO = 100mA 75 mV
tHO-RISE HO 上升时间（10% 至 90%） CLOAD = 2.7nF 20 ns
tHO-FALL HO 下降时间（90% 至 10%） CLOAD = 2.7nF 8 ns
低侧栅极驱动器 (LO)
VLO-HIGH LO 高电平状态输出电压 ILO = -100mA 300 mV
VLO-LOW LO 低电平状态输出电压 ILO = 100mA 75 mV
tLO-RISE LO 上升时间（10% 至 90%） CLOAD = 2.7nF 20 ns
tLO-FALL LO 下降时间（90% 至 10%） CLOAD = 2.7nF 8 ns
自适应死区时间控制
tDEAD1 从 HO 关断至 LO 导通死区时间 21 ns
tDEAD2 从 LO 关断至 HO 导通死区时间 21 ns
过流保护
VCS-TH 电流限制阈值 在 ISNS+ 与 VOUT 之间测得 54 60 66 mV
VCS-TH-MIN 最小峰值电流限制阈值 在 ISNS+ 与 VOUT 之间测得 12 mV
ACS CS 放大器增益 9.7 10 10.3 V/V
IBIAS-CS CS 放大器输入偏置电流 VVOUT = 5.0V 15 nA
VCS-NEG CS 负向电压阈值 -30 mV
热关断
TJ-SD 热关断阈值 (1) 温度上升 175 °C
TJ-HYS 热关断迟滞 (1) 15 °C
(1) 根据设计确定。未经生产测试。
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