ZHCSXB0A October   2024  – December 2024 LM61480T-Q1 , LM61495T-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出电压选择
      2. 7.3.2  使能 EN 引脚和 VIN UVLO 用途
      3. 7.3.3  用于同步的 SYNC/MODE
      4. 7.3.4  时钟锁定
      5. 7.3.5  可调开关频率
      6. 7.3.6  RESET 输出运行
      7. 7.3.7  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      8. 7.3.8  自举电压和 VCBOOT-UVLO(CBOOT 引脚)
      9. 7.3.9  SW 节点压摆率可调
      10. 7.3.10 展频
      11. 7.3.11 软启动和从压降中恢复
      12. 7.3.12 过流和短路保护
      13. 7.3.13 断续
      14. 7.3.14 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 峰值电流模式运行
        2. 7.4.3.2 自动模式运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
        3. 7.4.3.3 FPWM 模式运行
        4. 7.4.3.4 最短导通时间(高输入电压)运行
        5. 7.4.3.5 压降
        6. 7.4.3.6 从压降中恢复
        7. 7.4.3.7 其他故障模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  选择开关频率
        2. 8.2.2.2  设置输出电压
        3. 8.2.2.3  电感器选型
        4. 8.2.2.4  输出电容器选型
        5. 8.2.2.5  输入电容器选型
        6. 8.2.2.6  BOOT 电容器
        7. 8.2.2.7  启动电阻器
        8. 8.2.2.8  VCC
        9. 8.2.2.9  CFF 和 RFF 选择
        10. 8.2.2.10 RSPSP 选择
        11. 8.2.2.11 RT 选择
        12. 8.2.2.12 RMODE 选择
        13. 8.2.2.13 外部 UVLO
        14. 8.2.2.14 最高环境温度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 术语表
    7. 9.7 静电放电警告
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输入电容器选型

除了提供纹波电流并将开关噪声与其他电路隔离,陶瓷输入电容器还为稳压器提供低阻抗源。LM614xxT-Q1 的输入需要最低 10µF 的陶瓷电容。使用 2 个 10μF 或更大的陶瓷电容器,以提高 EMI 性能。电容器的额定电压必须至少为应用所需的最大输入电压。最好具有两倍的最大输入电压,以减少直流偏置降额。可以增大该电容以帮助降低输入电压纹波,并在负载瞬态期间保持输入电压。此外,必须在紧邻稳压器的每个输入/接地引脚对(VIN1/PGND1 和 VIN2/PGND2)使用一个小外壳尺寸(0603 或 0402)的陶瓷电容器。电容器的额定电压必须至少是最大输入电压的两倍,以尽可能减少降额。电容器还必须具有 X7R 或更佳的电介质。使用这些参数选择最高电容器容值。该电容值提供了高频旁路,可减少开关节点振铃和电磁干扰发射。QFN (VAM) 封装在其两侧提供两个输入电压引脚和两个电源接地引脚。这些引脚允许拆分输入电容器,并针对内部功率 MOSFET 实现优化放置,从而提高输入旁路的有效性。该示例在每个 VIN/PGND 引脚对上放置了两个 10μF、50V、1206、X7R 陶瓷电容器和两个 0.47μF、50V、0603、X7R 陶瓷电容器。

通常最好在输入端使用与陶瓷电容器并联的电解电容器。如果使用长引线或布线将输入电源连接到稳压器,情况尤其如此。该电容器的中等 ESR 有助于抑制由长电源引线的电感引起的输入电源上的振铃。使用这个额外的电容器还有助于处理由具有异常高阻抗的输入电源引起的瞬时电压骤降。

大多数输入开关电流流经陶瓷输入电容器。可以使用方程式 7 计算该电流的近似最坏情况 RMS 值。必须对照制造商的最大额定值来检查此值。

方程式 7. IRMSIOUT2