当 HS 开关导通时，高侧电源开关（HS 开关）的驱动器需要高于 VIN 的偏置。连接在 CBOOT 和 SW 之间的电容器作为电荷泵用于将 CBOOT 引脚上的电压升压到 (SW + VCC)。自举二极管集成在 LM614xxT-Q1 芯片上，可更大程度地减小物理设计尺寸。TI 建议对 CBOOT 电容器使用额定电压为 10V、采用 X7R 或更佳电介质的 100nF 电容器。引导 (CBOOT) 电源轨具有 UVLO 功能，用于保护芯片不受偏置过小操作的影响。该 UVLO 具有 V_{BOOT_UVLO}，通常为 2.1V。如果 CBOOT 电容器电压降至 V_{BOOT_UVLO} 以下，则器件会在尝试导通高侧器件之前，启动一个使用低侧 FET 的充电序列。