LM614xxT-Q1 通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与电压调节环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于电压环路具有最大值并且斜率补偿随占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而减小。请参阅图 7-15。

图 7-15 允许流经 HS FET 的最大电流 - LM61495T-Q1 占空比的函数

当低侧开关接通时，也会检测和监控流经的电流。与高侧器件一样，电压控制环路会命令低侧器件关断。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。请参阅节 7.4.3.4。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。该限制称为低侧电流限制；有关具体值，请参阅电气特性。如果超出 LS 电流限值，LS MOSFET 将保持导通状态，HS 开关不会导通。LS 开关在 LS 电流降至限值以下后关断。只要自 HS 器件上次导通后至少经过一个时钟周期 HS 开关就会再次导通。

图 7-16 电流限值波形

高侧和低侧限流运行的最终影响是 IC 在迟滞控制下运行。由于电流波形假定值介于 I_L-HS 和 I_L-LS 之间，因此除非占空比非常高，否则输出电流接近这两个值的平均值。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果占空比非常高，则电流纹波必须非常低以防止不稳定；请参阅节 8.2.2.3。由于电流纹波较低，因此该器件能够提供全电流。提供的电流非常接近 I_L-LS。

大多数情况下，电流限制为 I_L-HS 和 I_L-LS 的平均值，约为额定电流的 1.4 倍。如果输入电压较低，电流可限制在约为 I_L-LS。随着输出降至输出电压设置的 0.4 倍，电流不会超过 I_L-HS 和 I_L-LS 的平均值。低于输出电压设置的 0.4 倍时，峰值电流不会超过 I_L-HS 和 I_L-LS 的平均值，并且断续模式会激活，以防止过热。

图 7-17 输出电压与输出电流间的关系

一旦消除过载，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅节 7.3.11。请注意，如果输出电压降至预期输出电压的大约 0.4 倍以下，则会触发断续。