器件中允许的最大功耗定义为：

其中

• P_D 是器件的耗散功率
• T_J(max) 是最高结温
• T_A 是环境温度
• θ_JA 是特定封装的热阻

例如，对于采用 SOIC-8 封装的 LM6172，25°C 环境温度下的最大功耗为 726mW。

热阻 θ _JA 取决于芯片尺寸、封装尺寸和封装材料等参数。芯片尺寸和封装越小，θ_JA 就越高。8 引脚 PDIP 封装的热阻 (108°C/W) 低于 8 引脚 SOIC 封装的热阻 (172°C/W)。因此，要获得更高的耗散能力，请使用 8 引脚 PDIP。

器件中耗散的总功率还可计算为：

其中

• P_Q 是在输出端未连接负载时器件中耗散的静态功率。
• P_L 是在输出端连接负载时器件中耗散的功率，而不是负载中耗散的功率。

此外，

• P_Q =电源电流 × 空载时的总电源电压
• P_L = 输出电流 ×（电源电压与同一电源的输出电压之间的电压差）

例如，使用方程式 3 可求解 LM6172 的总功率耗散，其中 V_S = ±15V、两个通道的输出按压摆幅为 10V 且负载为 1kΩ：

• = 2[(2.3mA)(30V)] + 2[(10mA)(15V − 10V)]
• = 138mW + 100mW
• = 238mW