ZHCSKE1H February 2019 – June 2024 LM63615-Q1 , LM63625-Q1
PRODUCTION DATA
如上所述，TI 建议使用一个中间层作为实心接地层。接地层可为敏感电路和布线屏蔽噪声，还可为控制电路提供干净的基准电位。使用紧挨旁路电容器的过孔，将 AGND 和 PGND 引脚连接到接地层。PGND 引脚直接连接到低侧 MOSFET 开关的源极，也直接连接到输入和输出电容器的接地端。PGND 网在开关频率下会产生噪声，会因负载变化而反弹。PGND 布线以及 VIN 和 SW 布线应限制在接地层的一侧。接地层另一侧的噪声要少得多，必须用于敏感的布线。
TI 建议使用器件的散热焊盘 (DAP) 作为主要散热途径，从而使器件充分散热。使用至少 4 × 3 阵列的 10mil 散热过孔将 DAP 连接到系统接地层散热器。过孔必须均匀地分布在 DAP 下方。系统接地层、顶层和底层的覆铜越厚，越利于散热。使用四层电路板，四层的铜厚（从顶层开始）依次为：2oz/1oz/1oz/2oz。具有足够铜厚度和适当布局布线的四层电路板可实现低电流传导阻抗、适当的屏蔽和较低的热阻。