请参阅 (1)(2)(3)电源电压,VDD | -0.3V 至 6.0V |
SMBDAT、SMBCLK、ALERT、T_Crit、PWM 引脚上的电压 | -0.5V 至 6.0V |
其他引脚上的电压 | −0.3V 至(VDD + 0.3V) |
输入电流,D− 引脚 | ±1mA |
所有其它引脚的输入电流 (4) | 5mA |
封装输入电流 (4) | 30mA |
封装功率耗散 SMBDAT、ALERT、T_Crit、PWM 引脚 | 请参阅 (5) |
输出灌电流 | 10mA |
贮存温度 | -65°C 至 +150°C |
ESD 敏感性 (6) | 人体放电模型 | 2000V |
机器放电模型 | 200V |
SMT 焊接信息 有关采用 LLP 封装的 SMT 组装的信息,请参阅 AN-1187 (SNOA401Q),“无引线框架封装”。 |
(1) 绝对最大额定值表示超过之后可能对器件造成损坏的限值。运行额定值表示器件可正常工作的条件,但不保证性能限制。有关保证的规格和测试条件,请参阅“电气特性”。保证的规格仅适用于所列出的测试条件。当器件未在列出的测试条件下运行时,某些性能特性可能会降级。
(2) 除非另有说明,否则所有电压均以 GND 为基准测量。
(3) 如果需要军用/航天专用器件,请与 TI 销售办事处/经销商联系以了解供货情况和技术规格。
(4) 如果任何引脚处的输入电压 (V
IN) 超过电源电压(V
IN < GND 或 V
IN > V+),则相应引脚处的电流不应超过 5mA。
表 5-1 显示了 LM64 引脚的寄生元件和/或 ESD 保护电路,通过 "X" 表示它存在。请注意,不要对引脚 D+ 和 D− 上的寄生二极管 D1 进行正向偏置:如果正向偏置超过 50mV,可能会破坏温度测量结果。
(6) 人体放电模型,100pF 通过 1.5kΩ 电阻器放电。机器放电模型,直接对每个引脚进行 200pF 放电。有关 ESD 保护输入结构,请参阅
图 5-2。