电源输入通常在开关频率下具有相对较高的源阻抗。需要高质量的输入电容器来限制输入纹波电压。如前所述，双通道交错运行会显著降低输入纹波振幅。通常，纹波电流会根据电容器在开关频率条件下的相对阻抗在几个输入电容器之间进行分流。

1. 选择具有足够电压和 RMS 纹波电流额定值的输入电容器。
2. 使用方程式 38 并假定最差情况下占空比工作点为 50% 来计算输入电容器 RMS 纹波电流。
   方程式 38. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{r}\mathrm{m}\mathrm{s}\right)}\mathrm{ }=\mathrm{ }{\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}\times \sqrt{\mathrm{D}\times (1-\mathrm{D})}\mathrm{ }=8\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }\times \mathrm{ }\sqrt{0.5\mathrm{ }\times \mathrm{ }(1-0.5)}=4\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }$
3. 使用方程式 39 来查找所需的输入电容。
   方程式 39. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\ge \mathrm{ }\frac{\mathrm{D}\times \left(1-\mathrm{D}\right)\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times {(\mathrm{\Delta }\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}-{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{S}\mathrm{R}}\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}})}=\frac{0.5\times \left(1-0.5\right)\times 8\mathrm{}\mathrm{A}}{400\mathrm{}\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\mathrm{ }\times \left(480\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{V}-2\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{\Omega }\mathrm{ }\times \mathrm{ }8\mathrm{}\mathrm{A}\right)}=\mathrm{ }10.8\mathrm{}\mathrm{\mu }\mathrm{F}$

   其中

   • ΔV_IN 是输入峰峰值纹波电压规格。
   • R_ESR 是输入电容器 ESR。
4. 确认陶瓷电容器的电压系数后，选择两个 4.7µF、100V、X7R、1210 陶瓷输入电容器。将这些电容器靠近 VIN 和 PGND 引脚放置。
5. 在 VIN 和 PGND 引脚附近放置一个 10nF、100V、X7R、0603 陶瓷电容器，以在 MOSFET 开关转换期间提供高 di/dt 电流。此类电容器在高于 100MHz 条件下提供高自谐振频率 (SRF) 和低有效阻抗。这样可以减小电源环路寄生电感，以尽可能地减少开关节点电压过冲和振铃，从而减小传导和辐射的 EMI 信号。有关更多详细信息，请参阅布局指南。