电荷泵提供驱动外部 N 沟道 MOSFET 所需的电压。在 VCAP+ 和 VCAP– 引脚之间放置一个外部电荷泵电容器，可以提供能量来导通外部 MOSFET。为了使电荷泵向外部电容器提供电流，EN 引脚电压必须高于指定的输入高电平阈值 V_{(EN_IH)}。电荷泵启用后，可提供典型值为 300µA 的充电电流。如果 EN 引脚被拉至低电平，则电荷泵保持禁用状态。为确保可将外部 MOSFET 驱动至高于其指定阈值电压，在启用内部栅极驱动器之前，VCAP+ 至 VCAP– 的电压必须高于欠压锁定阈值（通常为 6.6V）。使用方程式 1 可以计算初始栅极驱动器使能延迟。

其中

• C_(VCAP) 是连接在 ANODE 和 VCAP 引脚之间的电荷泵电容
• V_{(VCAP_UVLOR)} = 6.6V（典型值）

为消除栅极驱动器上的任何抖动，可将大约 900mV 的迟滞添加到 VCAP 欠压锁定。电荷泵保持启用状态，直到 VCAP+ 至 VCAP– 的电压达到 13V（典型值），此时电荷泵通常处于禁用状态，从而减少 ANODE 引脚上的电流消耗。电荷泵保持禁用状态，直到 VCAP+ 至 VCAP– 的电压低于 12.1V（典型值），从而启用电荷泵。VCAP+ 至 VCAP– 之间的电压继续在 12.1V 和 13V 之间充电和放电，如图 8-1 所示。通过启用和禁用电荷泵，可降低 LM74703-Q1 的工作静态电流。当电荷泵处于禁用状态时，灌电流为 5µA。

图 8-1 电荷泵运行情况