LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 理想二极管控制器具有实现高效、快速反极性保护电路所需的所有功能。该器件可用于 ORing 配置，同时更大限度地减少外部元件的数量。这款易于使用的理想二极管控制器与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用，可替代其他反极性方案，例如 P 沟道 MOSFET 或肖特基二极管。内部电荷泵了将外部 N 沟道 MOSFET 驱动至大约 12V 的最大栅源驱动电压。在 ANODE 和 CATHODE 引脚之间持续监测 MOSFET 两端的压降，并且根据需要调整 GATE 至 ANODE 引脚电压，以便将正向压降调节为 20mV。该闭环调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并提供零直流反向电流。当 ANODE 和 CATHODE 引脚上的电压降至 –11mV 以下时，检测到快速反向电流情况。此行为会将 GATE 引脚从内部连接到 ANODE 引脚，从而关闭外部 N 沟道 MOSFET，并使用体二极管阻断任何反向电流。使能引脚 EN 可用于将 LM74703-Q1 置于关断模式，从而禁用 N 沟道 MOSFET 并更大限度地减小静态电流。

LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 通过 FETGOOD 引脚提供外部 FET 运行状况监控功能。该器件可在上电期间监控外部 FET 漏源短路或开路情况，并在诊断外部 FET 故障条件时将 FETGOOD 引脚拉至低电平。

对于汽车照明等汽车应用，面向外部的摄像头模块通常需要在高达几千兆赫 (GHz) 的频段中实现低传导和辐射发射。图 9-13LM74703-Q1 和 LM74704-Q1 在高频频段中可实现低发射，因此非常适合高频频段中的发射是一项关键考量因素的应用。