HGATE 和 OUT 由负载断开开关控制级组成。将外部 MOSFET 的源极连接到 OUT，将栅极连接到 HGATE。

启用 HGATE 驱动器之前，必须满足以下条件：

• EN/UVLO 引脚电压必须大于指定的输入高电压。
• CAP 至 VS 电压必须大于欠压锁定电压。

• VS 引脚上的电压必须大于 VS POR 上升阈值。

如果未达到上述条件，则 HGATE 引脚从内部连接到 OUT 引脚，确保外部 MOSFET 被禁用。

对于浪涌电流限制，请连接 C_dVdT 电容器和 R₁，如图 8-3 所示。

为了限制浪涌电流，需要使用 C_dVdT 电容器在上电期间减缓 HGATE 电压斜升。使用方程式 2 计算 C_dVdT 电容值。

其中 I_{HATE_DRV} 为 55μA（典型值），I_INRUSH 为浪涌电流，C_OUT 为输出负载电容。与 C_dVdT 电容器串联的额外电阻 R₁ 可缩短关断时间。