ZHCSNK1 december   2022 LM7481

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议的操作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过压保护和电池电压检测（VSNS、SW、OV）
      4. 8.3.4 低 Iq 关断和欠压锁定 (EN/UVLO)
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 应用示例
      1. 8.5.1 具有浪涌电流限制、过压保护和开/关控制功能的冗余电源 OR-ing
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 注意事项
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5 引脚配置和功能

GUID-4BDC24CE-E19F-429A-BE7E-DE0317D5BA69-low.gif图 5-1 DRR 封装，12 引脚 WSON（顶视图）
表 5-1 引脚功能
引脚类型(1)说明
名称LM74810
WSON
DGATE1O二极管控制器栅极驱动输出。连接到外部 MOSFET 的栅极。理想二极管的阳极。
A)2I理想二极管的阳极。连接到外部 MOSFET 的源极。
VSNS3I电压检测输入。
SW4I电压检测断开开关端子。VSNS 和 SW 通过开关在内部连接。使用 SW 作为电池检测或 OV 电阻梯网络的顶部连接。当 EN/UVLO 被拉至低电平时，该开关关断，断开电阻梯与电池线路的连接，从而切断漏电流。如果未使用 VSNS 和 SW 之间的内部断开开关，则将它们短接在一起并连接到 VS 引脚。
OV5I可调节过压阈值输入。在 SW 与 OV 端子之间连接一个电阻梯。当 OVP 上的电压超过过压切断阈值时，HGATE 被拉至低电平，从而关断 HSFET。当检测电压低于 OVP 下降阈值时，HGATE 导通。
EN/UVLO6IEN/UVLO 输入。连接到 VS 引脚以实现常开运行。可通过微控制器 I/O 从外部驱动。将其拉至低于 V(ENF) 的低电平可使器件进入低 Iq 关断模式。对于 UVLO，将外部电阻梯连接到 EN/UVLO 至 GND。
GND7G连接到系统接地层。
HGATE8OHSFET 的栅极驱动器输出。连接到外部 FET 的栅极。
OUT9I连接到输出电源轨（外部 MOSFET 源极）。
VS10IIC 的输入电源。将 VS 连接到共漏极背对背 MOSFET 配置的中点。在 VS 和 GND 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
CAP11O电荷泵输出。在 CAP 和 VS 之间连接一个 100nF 电容器。
C12I理想二极管的阴极。连接到外部 MOSFET 的漏极。
RTN散热焊盘—将外露焊盘保持悬空。不要连接到 GND 平面。
(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入和输出，P = 电源，G = 接地
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