当外部 MOSFET 在过压切断、反向电流阻断、EN/UVLO 导致电流中断等条件下关断时，输入线路电感会在输入端产生正电压尖峰，而输出电感会在输出端产生负电压尖峰。电压尖峰（瞬变）的峰值振幅取决于与器件输入或输出串联的电感值。如果未采取措施解决此问题，这些瞬变可能会超过器件的绝对最大额定值。

解决瞬变的典型方法包括：

• 更大限度减少进出器件的引线长度和电感
• 使用大 PCB GND 平面
• 在输出端和 GND 使用肖特基二极管来吸收负尖峰
• 使用低值陶瓷电容器（C_(IN) 约为 0.1μF）来吸收能量并抑制瞬变。

输入电容的近似值可通过方程式 8 进行估算。

方程式 8.

其中

• V_(IN) 是标称电源电压
• I_(LOAD) 是负载电流
• L_(IN) 等于在源中观察到的有效电感
• C_(IN) 是输入端存在的电容

某些应用可能需要额外的瞬态电压抑制器 (TVS)，以防止瞬变超过器件的绝对最大额定值。这些瞬变可能会在 EMC 测试（例如汽车 ISO7637 脉冲）期间发生。

采用可选保护元件（陶瓷电容器、TVS 和肖特基二极管）的电路实现如图 9-14 所示

^* 抑制瞬态所需的可选元件

图 9-14 LM7481 可选保护元件的电路实现