MOSFET Q2 的 V_DS 额定值应足以处理最大系统电压以及输入瞬态电压。对于该 12V 设计，瞬态过压事件发生在抑制负载突降 35V 且持续 400ms 以及 ISO 7637-2 脉冲 2A 50V 且持续 50µs 期间。此外，ISO 7637-2 脉冲 3B 是一个非常快速的 100V 100ns 重复脉冲，通常被输入和输出陶瓷电容器吸收，12V 电池上的最大电压可限制为 < 40V，建议的最小输入电容为 0.1µF。输入和输出电容器也可吸收 50V SO 7637-2 脉冲 2A，并且通过在输入和输出端放置足够大的电容，其振幅可降至 40V 峰值。对于该 12V 设计，选择了额定电压为 40V V_DS 的 MOSFET。

MOSFET Q2 的 VGS 额定值应高于该最大 HGATE-OUT 电压 15V。

在输入热插拔至 12V 电池期间流经 MOSFET 的浪涌电流由输出电容决定。HGATE 上的外部电容 C_DVDT 用于限制输入热插拔或启动期间的浪涌电流。需要选择通过方程式 2 确定的浪涌电流值，以确保 MOSFET Q2 在其安全工作区 (SOA) 内正常运行。考虑 C_OUT = 470µF 且浪涌电流为 2.5A，计算出 C_DVDT 的值为 9.96nF。为该设计选择一个非常接近的标准值 10.0nF。

浪涌电流持续时间的计算公式如下：

方程式 7.

计算出的浪涌电流持续时间为 2.36ms，浪涌电流为 2.5A。

为 Q2 选择了具有 40V V_DS 和 16V V_GS 额定值的 MOSFET BUK9J0R9-40H。浪涌期间的功率耗散完全在 MOSFET 的安全工作区 (SOA) 范围内。