选择 TVS 时，重要的规格是击穿电压和钳位电压。TVS+ 的击穿电压应高于 24V 快速启动电压和 35V 抑制负载突降电压，并小于 LM7481 的最大额定电压 (65V)。TVS- 的击穿电压应超过最大电池反向电压 –16V，以免 TVS- 因长时间接触反接电池而受损。

钳位电压是 TVS 二极管在高电流脉冲情况下钳位的电压，该电压远高于击穿电压。在 ISO 7637-2 脉冲 1 的情况下，输入电压上升至 –150V，发生器阻抗为 10Ω。这意味着流经 TVS- 的电流为 15A，且 TVS 两端的电压将接近于其钳位电压。

下一个标准是不超过 LM7481 阴极至阳极电压的绝对最大额定值 (85V) 和 MOSFET 的最大 V_DS 额定值。在设计示例中，选择了额定电压为 40V 的 MOSFET，阴极至阳极电压的最大限值为 40V。

在 ISO 7637-2 脉冲 1 期间，LM7481 的阳极由 ISO 脉冲下拉并由 TVS- 钳位，而 MOSFET Q1 快速关断，防止反向电流使大容量输出电容器放电。当 MOSFET 关断时，显示的阴极至阳极电压等于（TVS 钳位电压 + 输出电容器电压）。如果输出电容器上的最大电压为 16V（最大电池电压），则 TVS- 的钳位电压不应超过 (40V – 16V) = –24V。

在正极侧，SMBJ33A TVS 二极管可用于 12V 电池保护应用。36.7V 的击穿电压满足正极侧的快速启动和负载突降要求。在负极侧，TVS 必须承受 16V 电池反向连接，并且钳位电压必须为 –(40V - 16V) = –24V。可以使用 SMBJ16A。

但是，如果选择了额定电压为 60V 的 MOSFET，则建议使用单个双向 TVS SMBJ33CA。SMBJ 系列 TVS 的额定峰值脉冲功率级别高达 600W，足以支持 ISO 7637-2 脉冲。