4 引脚配置和功能

图 4-1 RRG 封装，40 引脚 VQFN（顶视图）

表 4-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
NC1	1、13	NC	用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。在内部连接到 DH。
DH	2–12	P	高侧 GaN FET 漏极。在内部连接到 NC1。
SW	14–16	P	高侧 GaN FET 源极和低侧 GaN FET 漏极之间的 GaN FET 半桥开关节点。在内部连接到 PADH。
NC2	17、21、37	NC	用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。在内部连接到 AGND、SL 和 PADL。
SL	18-20、22–27	P	低侧 GaN FET 源极。在内部连接到 AGND、PADL 和 NC2。
EN	28	I	使能。用于在工作模式和待机模式之间切换。待机模式降低了静态电流，以支持转换器轻载效率目标。在 EN 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 EN 驱动至高于 AUX 的电平。
INH	29	I	高侧栅极驱动控制输入。以 AGND 为参考。信号在内部通过电平转换位移到高侧 GaN FET 驱动器。在 INH 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 INH 驱动至高于 AUX 的电平。
INL	30	I	低侧栅极驱动控制输入。以 AGND 为参考。在 INL 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 INL 驱动至高于 AUX 的电平。
AGND	31	GND	低侧模拟接地。在内部连接到 SL、PADL 和 NC2。
CS	32	O	电流检测仿真输出。输出与低侧 GaN FET 电流成 0.616ma/A 比例的电流。将输出电流馈入电阻器以生成电流检测电压信号。电阻器以电源控制器 IC 本地接地为基准。此功能取代了与低侧 FET 串联使用的外部电流检测电阻。
NC3	33	NC	用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。内部未连接引脚。
FLT	34	O	低电平有效故障输出。在过热关断期间置为有效的开漏输出。
AUX	35	P	辅助电压轨。低侧电源电压。在 AUX 和 AGND 之间连接一个本地旁路电容器。
RDRVL	36	I	短接至 AGND。
BST	38	P	自举电压轨。高侧电源电压。AUX 和 BST 之间的自举二极管功能在内部提供。在 BST 和 SW 之间连接一个大小合适的自举电容器。建议使用 NC4 进行 SW 连接，作为与 PADH (PADH = SW) 的直通连接，如 NC4 说明中所述。
RDRVH	39	I	短接至 SW。建议使用 NC4 进行 SW 连接，作为与 PADH (PADH = SW) 的直通连接，如 NC4 说明中所述。
NC4	40	NC	引脚不起作用。引脚为高阻抗并以 SW 为基准。建议将引脚连接到 PADH (PADH = SW) 以方便连接 BST 旁路电容器和 RDRVH。请参阅布局示例部分中的电路板布局布线示例。
PADH	41	TP	高侧散热焊盘。在内部连接到 SW。所有 SW 电流都可以通过 PADH (PADH = SW) 传导。
PADL	42	TP	低侧散热焊盘。在内部连接到 S、AGND 和 NC2。所有 SL 电流都可以通过 PADL (PADL = SL) 传导。

(1) I = 输入，O = 输出，G = 接地，P = 电源，NC = 无连接，TP = 散热焊盘。