ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
6.1 GaN 功率 FET 开关参数
图 6-1 展示了用于测量 GaN 功率 FET 开关参数的电路。该电路用作双脉冲测试仪。有关双脉冲测试仪的详细信息，请参阅外部基准。该电路置于升压配置中，用于测量低侧 GaN 开关参数。该电路置于降压配置中，用于测量高侧 GaN 开关参数。不在每个配置（升压中的高侧和降压中的低侧）中测量 GaN FET 充当双脉冲测试仪二极管，并在关断状态第三象限导通模式下实现电感器电流循环。表 6-1 展示了每个配置的详细信息。
图 6-1 GaN 功率 FET 开关参数测试电路
表 6-1 GaN 功率 FET 开关参数测试电路配置详细信息
| 配置 | 待测试 GaN FET | 充当二极管的 GaN FET | SBOOST | SBUCK | VINL | VINH |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 升压 | 低侧 | 高侧 | 闭合 | 开路 | 双脉冲波形 | 0V |
| 降压 | 高侧 | 低侧 | 开路 | 闭合 | 0V | 双脉冲波形 |
图 6-2 展示了 GaN 功率 FET 开关参数。
GaN 功率 FET 导通转换有三个时序分量：漏极电流导通延迟时间、导通延迟时间和导通上升时间。请注意，导通上升时间与 VDS 80% 至 20% 下降时间相同。
GaN 功率 FET 关断转换具有两个时序分量：关断延迟时间和关断下降时间。请注意，关断下降时间与 VDS 20% 至 80% 上升时间相同。关断时间分量很大程度上取决于 LHB 电流。
与导通上升时间电压差 (240V) 相比，导通压摆率是在较小的电压差 (100V) 下测量的，以获得更快的压摆率，这对 EMI 设计很有用。
图 6-2 GaN 功率 FET 开关参数