LMG2640 可为两个半桥 GaN 功率 FET 实现逐周期过流保护。图 7-5 展示了逐周期过流运行。每个 INx 逻辑高电平周期都会导通 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏极电流超过过流阈值电流，过流保护会在 INx 逻辑高电平的剩余时间内关断 GaN 功率 FET。

图 7-5 逐周期过流保护运行

未在 FLT 引脚上报告过流保护事件。逐周期过流保护功能可更大限度地减少系统中断，因为不会报告该事件，并且保护功能允许 GaN 功率 FET 在每个 INx 周期导通一次。

低侧/高侧过流保护阈值电流设置为与不同的 GaN 功率 FET 尺寸相对应的不同级别。如电流检测仿真 中所述，在低侧 GaN 功率 FET 由低侧过流保护功能关断后，会产生人工 CS 引脚电流，以防止控制器进入挂起状态。