ZHCSST2 November   2024 LMG2640

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2  电流检测仿真
      3. 7.3.3  自举二极管功能
      4. 7.3.4  输入控制引脚（EN、INL、INH）
      5. 7.3.5  INL - INH 互锁
      6. 7.3.6  AUX 电源引脚
        1. 7.3.6.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.6.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      7. 7.3.7  BST 电源引脚
        1. 7.3.7.1 BST 上电复位
        2. 7.3.7.2 BST 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  过流保护
      9. 7.3.9  过热保护
      10. 7.3.10 故障报告
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RRG|40
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 开关特性

1) 符号定义：VDS(ls) = SW 至 SL 电压；IDS(ls) = SW 至 SL 电流；VDS(hs) = DH 至 SW 电压；ID(hs) = DH 至 SW 电流；2) 除非另有说明：电压、电阻和电容以 AGND 为基准；-40°C ≤ TJ ≤ 125°C；10V ≤ VAUX ≤ 26V；7.5V ≤ VBST_SW ≤ 26V；VEN = 5V；VINL = 0V；VINH = 0V；RCS = 100Ω
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
低侧 GaN 功率 FET
td(on)(Idrain)(ls) 漏极电流导通延迟时间 从 VINL > VINL,IT+ 到 ID(ls) > 50mA, VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 33 ns
td(on)(ls) 导通延迟时间 从 VINL > VINL,IT+ 到 VDS(ls) < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 39 ns
tr(on)(ls) 导通上升时间 从 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 2.4 ns
td(off)(ls) 关断延迟时间 从 VINL < VINL,IT– 到 VDS(ls) > 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 40 ns
tf(off)(ls) 关断下降时间 从 VDS(ls) > 80V 到 VDS(ls) > 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 16.0 ns
导通压摆率 从 VDS(ls) < 250V 到 VDS(ls) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 125 V/ns
高侧 GaN 功率 FET
td(on)(Idrain)(hs) 漏极电流导通延迟时间 从 VINH > VINH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 33 ns
td(on)(hs) 导通延迟时间 从 VINH > VINH,IT+ 到 VDS(hs) < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 39 ns
tr(on)(hs) 导通上升时间 从 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 2.4 ns
td(off)(hs) 关断延迟时间 从 VINH < VINH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 40 ns
tf(off)(hs) 关断下降时间 从 VDS(hs) > 80V 到 VDS(hs) > 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 16.0 ns
导通压摆率 从 VDS(hs) < 250V 到 VDS(hs) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 2.5A 125 V/ns
低侧过流保护
t(OC)(ls) 过流故障响应时间，过流前 FET 导通 在遵从 ID(ls) 压摆率下，从 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls)
ID(ls) di/dt = 12A/µs 175 ns
ID(ls) di/dt = 24A/µs 150 ns
ID(ls) di/dt = 120A/µs 90
t(OC)(en)(ls) 过流故障响应时间，FET 被启用为短路 VDS(ls) = 50V；从 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) 122 ns
高侧过流保护
t(OC)(hs) 过流故障响应时间，过流前 FET 导通 在以下 ID(hs) 压摆率下，从 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs)
ID(hs) di/t = 12A/µs 175 ns
ID(hs) di/t = 24A/µs 150 ns
ID(hs) di/dt = 120A/µs 90
t(OC)(en)(hs) 过流故障响应时间，FET 被启用为短路 VDS(hs) = 50V；从 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) 122 ns
CS
tr 上升时间 从 ICS(src) > 0.1 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，低侧启用至 2.5A 负载 35 ns
EN
EN 唤醒时间 从 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V 1.5 µs
BST
从深度 BST 到 SW 放电的启动时间 从 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高侧对 INH 上升沿做出反应，VBST_SW 在 1µs 内从 0V 上升到 10V 5 µs
从浅 BST 到 SW 放电的启动时间 从 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高侧对 INH 上升沿做出反应，VBST_SW 在 0.5µs 内从 5V 上升到 10V 2 µs
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