图 6-1 展示了用于测量 GaN 功率 FET 开关参数的电路。该电路用作双脉冲测试仪。有关双脉冲测试仪的详细信息，请参阅外部基准。该电路置于升压配置中，用于测量低侧 GaN 开关参数。该电路置于降压配置中，用于测量高侧 GaN 开关参数。不在每个配置（升压中的高侧和降压中的低侧）中测量 GaN FET 充当双脉冲测试仪二极管，并在关断状态第三象限导通模式下实现电感器电流循环。表 6-1 展示了每个配置的详细信息。

图 6-1 GaN 功率 FET 开关参数测试电路

图 6-2 展示了 GaN 功率 FET 开关参数。

GaN 功率 FET 导通转换有三个时间分量：漏极电流导通延迟时间 t_d(on)(Idrain、导通延迟时间 t_d(on) 和导通上升时间 t_r(on)。请注意，导通上升时间与 V_DS 80% 至 20% 下降时间相同。所有三个导通时间分量都是 RDRVx 引脚设置的函数。

GaN 功率 FET 关断转换具有两个时间分量：关断延迟时间 t_d(off) 和关断下降时间 t_f(off)。请注意，关断下降时间与 V_DS 20% 至 80% 上升时间相同。关断时间分量与 RDRVx 引脚设置无关，但在很大程度上取决于 L_HB 电流。

导通压摆率是根据导通上升时间电压差 (240V) 测量，可获得对 EMI 设计很有用的压摆率。RDRVx 引脚用于设定压摆率。

图 6-2 GaN 功率 FET 开关参数