4 引脚配置和功能

图 4-1 RFB 封装，19 引脚 VQFN（顶视图）

表 4-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
NC	1、6、9、11	NC	用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。内部未连接引脚。
INH	2	I	高侧栅极驱动控制输入。以 AGND 为参考。信号在内部通过电平转换位移到高侧 GaN FET 驱动器。在 INH 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 INH 驱动至高于 AUX 的电平。如果使用 GDH 引脚功能，则将此引脚短接至 AGND。
INL	3	I	低侧栅极驱动控制输入。以 AGND 为参考。在 INL 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 INL 驱动至高于 AUX 的电平。
CS	4	O	电流检测仿真输出。输出与 GaN FET 电流成比例的电流。将输出电流馈入电阻器以生成电流检测电压信号。电阻器以电源控制器 IC 本地接地为基准。此功能取代了与低侧 FET 源极串联使用的外部电流检测电阻。
SL	5，7	P	低侧 GaN FET 源极。低侧散热焊盘。在内部连接到 AGND。
DH	8	P	高侧 GaN FET 漏极。
SW	10、15	P	高侧 GaN FET 源极和低侧 GaN FET 漏极之间的 GaN FET 半桥开关节点。高侧散热焊盘。
GDH	12	I	高侧栅极驱动控制输入。以 SW 为参考。信号直接连接到高侧 GaN FET 驱动器。在 GDH 到 BST 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 GDH 驱动至高于 BST 的电平。如果使用 INH 引脚功能，则将此引脚短接至 SW。
RDRVH	13	I	高侧驱动强度控制电阻。在 RDRVH 和 SW 之间设置一个电阻，以设定高侧 GaN FET 导通压摆率。
BST	14	P	自举电压轨。高侧电源电压。AUX 和 BST 之间的自举二极管功能在内部提供。在 BST 和 SW 之间连接一个大小合适的自举电容器。
RDRVL	16	I	低侧驱动强度控制电阻。在 RDRVL 和 AGND 之间设置一个电阻，以设定低侧 GaN FET 导通压摆率。
AGND	17	G	低侧模拟接地。在内部连接到 SL。
AUX	18	P	辅助电压轨。低侧电源电压。在 AUX 和 AGND 之间连接一个本地旁路电容器。
EN	19	I	使能。用于在工作模式和待机模式之间切换。待机模式降低了静态电流，以支持转换器轻载效率目标。在 EN 到 AUX 之间有一个正向偏置 ESD 二极管，因此可避免将 EN 驱动至高于 AUX 的电平。

(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入或输出，G = 地，P = 电源，NC = 无连接。