低侧和高侧 GaN 功率 FET 的导通压摆率可单独编程，有四种分立的设置可选。低侧压摆率可通过 RDRVL 和 AGND 引脚之间的电阻进行编程。高侧压摆率可通过 RDRVH 和 SW 引脚之间的电阻进行编程。当 AUX 电压上升到高于 AUX 上电复位电压时，可在 AUX 上电期间确定低侧一次压摆率设置。当 BST 至 SW 电压上升到高于 BST 上电复位电压时，可在 BST 至 SW 上电期间确定一次高侧压摆率设置。压摆率设置确定时间未指定，但大约为 0.4µs。

表 7-1 展示了四个压摆率设置下的建议典型电阻设定值以及每个设置下的典型导通压摆率。如表中所示，对于设定压摆率设置 0，开路连接是可接受的；对于设定压摆率设置 3，短路连接（RDRVL 短接至 AGND 以实现低侧导通压摆率）（RDRVH 短接至 SW 以实现高侧导通压摆率）是可接受的。