LMG2650 可为半桥 GaN 功率 FET 实现逐周期过流保护。图 7-5 展示了逐周期过流操作。每个 INL、INH 或 GDH 逻辑高电平周期都会导通受控 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏极电流超过过流阈值电流，过流保护会在 INL、INH 或 GDH 逻辑高电平的剩余时间内关断 GaN 功率 FET。

图 7-5 逐周期过流保护操作

未在 FLT 引脚上报告过流保护事件。逐周期过流保护功能可更大限度地减少系统中断，因为不会报告该事件，并且保护功能允许 GaN 功率 FET 在每个 INL、INH 或 GDH 周期导通一次。

如电流检测仿真 部分所述，在低侧 GaN 功率 FET 由低侧过流保护功能关断后，会产生人为 CS 引脚电流，以防止控制器进入挂起状态。