EN 引脚以 AGND 为基准并用于在工作模式和待机模式之间切换器件，如器件功能模式 部分所述。

INL 引脚以 AGND 为基准并用于导通和关断低侧 GaN 功率 FET。

INH 引脚以 AGND 为基准并用于导通和关断高侧 GaN 功率 FET。INH 引脚与使用低侧参考栅极驱动信号来控制高侧 GaN 功率 FET 的控制器兼容。

GDH 引脚以 SW 为基准并用于导通和关断高侧 GaN 功率 FET。GDH 引脚与使用高侧参考信号来控制高侧 GaN 功率 FET 的控制器兼容。

LMG2650 旨在与 INH 引脚或控制高侧 GaN 功率 FET 的 GDH 引脚配合使用。将未使用的引脚短接至其基准（INH 至 AGND 或 GDH 至 SW）。

输入控制引脚具有用于实现抗噪性能的典型 1V 输入电压阈值迟滞。这些引脚还具有典型的 400kΩ 下拉电阻，可防止输入悬空。400kΩ 在高于 4V 的典型输入电压下达到饱和，以将最大输入下拉电流限制为 10µA 典型值。从 EN、INL 和 INH 引脚到 AUX 引脚之间存在单独的正向 ESD 二极管。请避免将 EN、INL 和 INH 电压驱动至高于 AUX 电压。GDH 引脚和 BST 引脚之间也有一个正向 ESD 二极管。请避免将 GDH 至 SW 电压驱动至高于 BST 至 SW 电压。

以下条件会阻止 INL 导通操作：

• 待机模式（由上面的 EN 引脚设置）
• INH 控制 INL/INH 互锁
• AUX 欠压锁定 (UVLO)
• 低侧过热保护
• 低侧 GaN 功率 FET 过流保护

以下条件会阻止 INH 导通操作

• 待机模式（由上面的 EN 引脚设置）
• INL 控制 INL/INH 互锁
• AUX UVLO
• 低侧过热保护
• BST UVLO
• 高侧过流保护

以下条件会阻止 GDH 导通操作

• BST UVLO
• 高侧过热保护
• 高侧过流保护

请注意，INH 引脚被低侧温度保护阻断，而 GDH 引脚被高侧温度保护阻断。

除 INL/INH 互锁和过流保护之外的所有阻断情况都与 INL、INH 或 GDH 逻辑状态无关。图 7-3 展示了这些控制输入独立阻断条件的运行情况。

图 7-3 控制输入独立阻断条件运行

INL/INH 互锁阻断操作在 INL - INH 互锁 一节中进行了介绍。同时，过流保护阻断操作仅在控制输入已开启其相应的 GaN 功率 FET 后才有效。有关详细信息，请参阅过流保护 部分。