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ZHCSTP6 May 2024 LMG2650

ADVANCE INFORMATION

5.1 绝对最大额定值

除非另有说明：电压以 AGND 为基准⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_DS(ls)	低侧漏源（SW 至 SL）电压，FET 关断			650	V
V_{DS(surge)(ls)}	低侧漏源（SW 至 SL）电压，浪涌条件，FET 关断⁽²⁾			720	V
V_{DS(tr)(surge)(ls)}	低侧漏源（SW 至 SL）瞬态振铃峰值电压，浪涌条件，FET 关断⁽²⁾			800	V
V_DS(hs)	高侧漏源（DH 至 SW）电压，FET 关断			650	V
V_{DS(surge)(hs)}	高侧漏源（DH 至 SW）电压，浪涌条件，FET 关断⁽²⁾			720	V
V_{DS(tr)(surge)(hs)}	高侧漏源（DH 至 SW）瞬态振铃峰值电压，浪涌条件，FET 关断⁽²⁾			800	V
	引脚电压至 AGND	AUX	-0.3	30	V
		EN、INL、INH	-0.3	V_AUX + 0.3	V
		CS	-0.3	5.5	V
		RDRVL	-0.3	4	V
	引脚电压至 SW	BST	-0.3	30	V
		RDRVH	-0.3	4	V
		GDH	-0.3	V_{BST_SW} + 0.3	V
I_D(cnts)(ls)	低侧漏极（SW 至 SL）连续电流，FET 导通		-11.5	在内部限制	A
I_{D(pulse)(oc)(ls)}	过流响应期间的低侧漏极（SW 至 SL）脉冲电流⁽³⁾			28	A
I_S(cnts)(ls)	低侧源极（SL 至 SW）连续电流，FET 关断			11.5	A
I_D(cnts)(hs)	高侧漏极（DH 至 SW）连续电流，FET 导通		-11.5	在内部限制	A
I_{D(pulse)(oc)(hs)}	过流响应期间的高侧漏极（DH 至 SW）脉冲电流⁽³⁾			28	A
I_S(cnts)(hs)	高侧源极（SW 至 DH）连续电流，FET 关断			11.5	A
	正灌电流	CS		10	mA
T_J	工作结温		-40	150	°C
T_stg	贮存温度		-40	150	°C

(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。

(2) 有关 GaN 功率 FET 开关功能的更多信息，请参阅 GaN 功率 FET 开关功能。

(3) 如果 GaN 功率 FET 进入饱和状态，它可能会自我限制以保持低于该值。