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ZHCSTP6 May 2024 LMG2650

ADVANCE INFORMATION

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RFB|19

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcstp6_oa

5.6 开关特性

1) 符号定义：V_DS(ls) = SW 至 SL 电压；I_DS(ls) = SW 至 SL 电流；V_DS(hs) = DH 至 SW 电压；I_D(hs) = DH 至 SW 电流；I_SW = 流入器件的 SW 点电流；2) 除非另有说明：电压、电阻和电容以 AGND 为基准；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C；V_DS(ls) = 520V；V_DS(hs) = 520V；10V ≤ V_AUX ≤ 26V；7.5V ≤ V_{BST_SW} ≤ 26V；V_EN = 5V；V_INL = 0V；V_INH = 0V；R_RDRVL = 0Ω；R_{RDRVH_SW} = 0Ω；R_CS = 100Ω

参数		测试条件	典型值	最大值	单位
低侧 GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(ls)}	漏极电流导通延迟时间	从 V_INL > V_INL,IT+ 到 I_D(ls) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A，采用以下低侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_d(on)(ls)	导通延迟时间	从 V_INL > V_INL,IT+ 到 V_DS(ls) < 390V，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A，采用以下低侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_r(on)(ls)	导通上升时间	从 V_DS(ls) < 320V 到 V_DS(ls) < 80V，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A，采用以下低侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	96		ns
		压摆率设置 1	26.7
		压摆率设置 2	4.8
		压摆率设置 3（最快）	3
t_d(off)(ls)	关断延迟时间	从 V_INL < V_INL,IT– 到 V_DS(ls) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数	40		ns
t_f(off)(ls)	关断下降时间	从 V_DS(ls) > 80V 到 V_DS(ls) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数	10		ns
	导通压摆率	从 V_DS(ls) < 320V 到 V_DS(ls) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = 2.65A，采用以下低侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数			V/ns
		压摆率设置 0（最慢）	2.5		V/ns
		压摆率设置 1	9
		压摆率设置 2	50
		压摆率设置 3（最快）	80
高侧 GaN 功率 FET
t_{d(on)(Idrain)(hs,INH)}	漏极电流导通延迟时间	从 V_INH > V_INH,IT+ 到 I_D(hs) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_{d(on)(Idrain)(hs,GDH)}	漏极电流导通延迟时间	从 V_GDH > V_GDH,IT+ 到 I_D(hs) > 50mA，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_{d(on)(hs,INH)}	导通延迟时间	从 V_INH > V_INH,IT+ 到 V_DS(hs) < 390V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_{d(on)(hs,GDH)}	导通延迟时间	从 V_GDH > V_GDH,IT+ 到 V_DS(hs) < 390V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	待定		ns
		压摆率设置 1	待定
		压摆率设置 2	待定
		压摆率设置 3（最快）	待定
t_r(on)(hs)	导通上升时间	从 V_DS(hs) < 320V 到 V_DS(hs) < 80V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	96		ns
		压摆率设置 1	26.7
		压摆率设置 2	4.8
		压摆率设置 3（最快）	3
t_{d(off)(hs,INH)}	关断延迟时间	从 V_INH < V_INH,IT–到 V_DS(hs) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数	60		ns
t_{d(off)(hs,GDH)}	关断延迟时间	从 V_GDH < V_GDH,IT–到 V_DS(hs) > 80V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数	50		ns
t_f(off)(hs)	关断下降时间	从 V_DS(hs) > 80V 到 V_DS(hs) > 320V，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数	10		ns
	导通压摆率	从 V_DS(hs) < 320V 到 V_DS(hs) < 80V，T_J = 25℃，V_BUS = 400V，I_SW = -2.65A，采用以下高侧压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
		压摆率设置 0（最慢）	2.5		V/ns
		压摆率设置 1	9
		压摆率设置 2	50
		压摆率设置 3（最快）	80
CS
t_r	上升时间	从 I_CS(src) > 0.2 × I_{CS(src)(final)} 到 I_CS(src) > 0.9 × I_{CS(src)(final)}，0V ≤ V_CS ≤ 2V，低侧启用为 2.65A 负载		30	ns
EN
	EN 唤醒时间	从 V_EN > V_IT+ 到 I_D(ls) > 10mA，V_INL = 5V	1.5		µs
BST
	从深度 BST 到 SW 放电的启动时间	从 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高侧对 INH 或 GDH 高电平做出反应，V_{BST_SW} 在 1µs 内从 0V 上升到 10V	5		µs
	从浅 BST 到 SW 放电的启动时间	从 V_{BST_SW} > V_{BST_SW,T+(UVLO)} 到高侧对 INH 或 GDH 高电平做出反应，V_{BST_SW} 在 0.5µs 内从 5V 上升到 10V	2.6		µs