ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
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LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds (on) 和最大电流型号,即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路,因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥,而无需额外的电平转换器。
GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著,因为它们的反向恢复为零,而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。
无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说,该器件是理想的解决方案。
引脚 | I/O(1) | 说明 | |
---|---|---|---|
名称 | 编号 | ||
NC | 1、5、11–13、15 | — | 内部未连接。保持悬空。 |
LI | 2 | I | 低侧栅极驱动器控制输入。 |
VCC | 3 | P | 5V 器件电源。 |
AGND | 4 | G | 模拟地。 |
SRC | 6 | P | GaN FET 源极。在内部连接到 AGND。 |
DRN | 7 | P | GaN FET 漏极。 |
HS | 8 | P | 自举电压接地基准。 |
HB | 9 | P | 以 HS 为接地基准的高侧栅极驱动器自举电源轨。 |
HO | 10 | O | 电平转换高侧栅极驱动器控制输出。 |
HI | 14 | I | 高侧栅极驱动器控制输入。 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|
DRN 至 SRC | 100 | V | |
DRN 至 SRC(150°C 时可承受多达 10,000 个持续时间为 5ms 的脉冲) | 120 | V | |
HB 至 AGND | -0.3 | 100 | V |
HS 至 AGND | 93 | V | |
HI 至 AGND | -0.3 | 6 | V |
LI 至 AGND | -0.3 | 6 | V |
HI 至 AGND,10ns 瞬态,频率 < 500kHz (2) | -1.5 | 6 | V |
LI 至 AGND,10ns 瞬态,频率 < 500kHz (2) | -1.5 | 6 | V |
VCC 到 AGND | -0.3 | 6 | V |
HB 至 HS | -0.3 | 6 | V |
HB 至 VCC | 0 | 93 | V |
IOUT,DRN/SRC 引脚(连续),TJ = 125℃,LMG3100R017 | 126 | A | |
IOUT,DRN/SRC 引脚(脉冲,300µs),TJ = 25℃,LMG3100R017 | 350 | A | |
IOUT,DRN/SRC 引脚(连续),TJ = 125℃,LMG3100R044 | 46 | A | |
IOUT,DRN/SRC 引脚(脉冲,300µs),TJ = 25℃,LMG3100R044 | 125 | A | |
结温,TJ | -40 | 175 | °C |
贮存温度,Tstg | -40 | 150 | °C |