ZHCSJF9A March 2019 – June 2019 LMG3410R150 , LMG3411R150
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LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代米6体育平台手机版_好二三四,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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LMG341xR150 | QFN (32) | 8.00mm x 8.00mm |