能否成功使用 GaN 器件(特别是 LMG352xR030)取决于能否正确使用器件。使用 LMG352xR030 时,务必:
- 仔细阅读数据表(包括:应用手册与布局建议),完全理解所载内容。
- 采用四层电路板,并且将返回电源路径置于内层,以便最大限度减小电源环路电感。
- 采用小型表面贴装旁路与总线电容器,以便最大限度减小寄生电感。
- 根据“布局指南”相应说明,采用尺寸合适的去耦电容器,并且放置在靠近 IC 的位置。
- 采用信号隔离器,以便为低侧器件提供输入信号。如果未采用,请确保信号源连接至信号 GND 平面,该平面仅在 LMG352xR030 IC 处与电源相连。
- 采用“故障”引脚确定加电状态,检测过流与过热事件,以及安全地关闭转换器。
为避免利用 LMG352xR030 时系统出现问题,请勿:
- 为 LMG352xR030 采用单层或双层印刷电路板,因为电源回路与旁路电容器电感过大,会妨碍集成电路的正常运行。
- 将旁路电容值降至建议值以下。
- 让器件经历超过 650V 的漏极瞬态电压,这可能会导致器件损坏。
- 让器件在关断或未通电情况下进行大量的第三象限导通,这可能会导致过热。该工作模式下,自我保护功能无法为器件提供保护。
- 忽视“故障”引脚输出。