能否成功使用 GaN 器件（特别是 LMG352xR030）取决于能否正确使用器件。使用 LMG352xR030 时，务必：

• 仔细阅读数据表（包括：应用手册与布局建议），完全理解所载内容。
• 采用四层电路板，并且将返回电源路径置于内层，以便最大限度减小电源环路电感。
• 采用小型表面贴装旁路与总线电容器，以便最大限度减小寄生电感。
• 根据“布局指南”相应说明，采用尺寸合适的去耦电容器，并且放置在靠近 IC 的位置。
• 采用信号隔离器，以便为低侧器件提供输入信号。如果未采用，请确保信号源连接至信号 GND 平面，该平面仅在 LMG352xR030 IC 处与电源相连。
• 采用“故障”引脚确定加电状态，检测过流与过热事件，以及安全地关闭转换器。

为避免利用 LMG352xR030 时系统出现问题，请勿：

• 为 LMG352xR030 采用单层或双层印刷电路板，因为电源回路与旁路电容器电感过大，会妨碍集成电路的正常运行。
• 将旁路电容值降至建议值以下。
• 让器件经历超过 650V 的漏极瞬态电压，这可能会导致器件损坏。
• 让器件在关断或未通电情况下进行大量的第三象限导通，这可能会导致过热。该工作模式下，自我保护功能无法为器件提供保护。
• 忽视“故障”引脚输出。