ZHCSQH3B November   2022  – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3526R030）
      5. 6.1.5 零电流检测时间（仅限 LMG3527R030）
    2. 6.2 安全工作区（SOA）
      1. 6.2.1 重复性安全工作区
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3522R030 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3526R030 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3527R030 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定义
      2. 7.3.2  直接驱动 GaN 架构
      3. 7.3.3  漏源电压能力
      4. 7.3.4  内部降压/升压 DC-DC 转换器
      5. 7.3.5  VDD 偏置电源
      6. 7.3.6  辅助 LDO
      7. 7.3.7  故障保护
        1. 7.3.7.1 过流保护与短路保护
        2. 7.3.7.2 过温关断保护
        3. 7.3.7.3 UVLO 保护
        4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引脚保护
        5. 7.3.7.5 故障报告
      8. 7.3.8  驱动强度调整
      9. 7.3.9  温度传感输出
      10. 7.3.10 理想二极管模式操作
        1. 7.3.10.1 过热关断理想二极管模式
      11. 7.3.11 零电压检测（ZVD）（仅限LMG3526R030）
      12. 7.3.12 零电流检测（ZCD）（仅限LMG3527R030）
    4. 7.4 启动序列
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
          1. 8.2.2.1.1 使用自举高侧电源时的启动与压摆率
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
        3. 8.2.2.3 降压/升压转换器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 使用隔离式电源
      2. 8.4.2 使用自举二极管
        1. 8.4.2.1 二极管选型
        2. 8.4.2.2 管理自举电压
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 焊点可靠性
        2. 8.5.1.2 电源环路电感
        3. 8.5.1.3 信号接地连接
        4. 8.5.1.4 旁路电容器
        5. 8.5.1.5 开关节点电容
        6. 8.5.1.6 信号完整性
        7. 8.5.1.7 高电压间距
        8. 8.5.1.8 热建议
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.5.2 布局示例

LMG352xR030 及其周围元件的正确布局对于正确运行有着重要意义。此处所示布局反映了 图 8-1中 GaN 器件原理图。该等布局展示了良好的效果，可用作指南。不过，采用其他布局方案也有可能获得可接受的性能。此外，可参阅“机械、封装与可订购信息”中的焊盘图案示例，了解最新推荐的器件 PCB 封装尺寸。

显示了顶层布局、中层布局以及底层布局。中层布局包含了能够帮助读取器对齐顶层与中间层布局的顶层元件轮廓。
LMG3522R030 LMG3526R030 LMG3527R030 半桥顶层布局图 8-10 半桥顶层布局
LMG3522R030 LMG3526R030 LMG3527R030 半桥第三层（深灰色）与底层（浅灰色）布局图 8-11 半桥第三层（深灰色）与底层（浅灰色）布局
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