由于硅 FET 长期占据功率开关技术的主导地位，许多设计人员没有意识到铭牌漏源电压不能用作跨技术比较器件的等效点。硅 FET 的铭牌漏源电压由雪崩击穿电压决定。GaN FET 的铭牌漏源电压是根据对数据表规格的长期遵从性设定的。

超过硅 FET 的铭牌漏源电压可能会立即导致损坏或造成永久性损坏。同时，GaN FET 的击穿电压远高于铭牌漏源电压。例如，LMG3612 GaN 功率 FET 的击穿漏源电压超过 800V，这使得 LMG3612 能够在超过相同铭牌额定硅 FET 的条件下运行。

我们借助图 7-1 说明了 LMG3612 GaN 功率 FET 开关能力。该图显示了在开关应用中，LMG3612 GaN 功率 FET 在四个不同开关周期内的漏源电压随时间的变化情况。不对开关频率或占空比进行任何声明。前两个周期显示正常运行，后两个周期显示在罕见的输入电压浪涌下运行。LMG3612 GaN 功率 FET 旨在在零电压开关 (ZVS) 或不连续导通模式 (DCM) 开关条件下开启。

图 7-1 GaN 功率 FET 开关能力

FET 处于导通状态时，每个周期都在 t₀ 之前开始。在 t₀ 时，GaN FET 关断，寄生元件导致漏源电压以高频振铃。高频振铃已经减弱了 t₁。在 t₁ 和 t₂ 之间，FET 漏源电压由开关应用的特性响应设置。特性以一条平坦的线（平坦区）显示，但可以有其他响应。在 t₂ 时，GaN FET 导通。在正常运行情况下，瞬态环电压限制为 650V，平坦电压限制为 520V。对于极少数浪涌事件，瞬态环电压限制为 800V，平坦电压限制为 720V。