图 6-1 显示了用于测量 GaN 功率 FET 开关参数的电路。该电路用作双脉冲测试仪。有关双脉冲测试仪的详细信息，请参阅外部基准。电路在升压配置下运行，低侧 LMG3612 为被测器件 (DUT)。高侧 LMG3612 充当双脉冲测试仪二极管，并在关断状态第三象限导通模式下实现电感器电流循环。

图 6-1 GaN 功率 FET 开关参数测试电路

图 6-2 显示了 GaN 功率 FET 开关参数。

GaN 功率 FET 导通转换有三个时序分量：漏极电流导通延迟时间、导通延迟时间和导通上升时间。请注意，导通上升时间与 V_DS 80% 至 20% 下降时间相同。所有三个导通时序分量都是 RDRV 引脚设置的函数。

GaN 功率 FET 关断转换具有两个时序分量：关断延迟时间和关断下降时间。请注意，关断下降时间与 V_DS 20% 至 80% 上升时间相同。关断时序分量与 RDRV 引脚设置无关，但在很大程度上取决于 L_HB 电流。

与导通上升时间电压差 (240V) 相比，导通压摆率是在较小的电压差 (100V) 下测量的，以获得更快的压摆率，这对 EMI 设计很有用。RDRV 引脚用于设定压摆率。

图 6-2 GaN 功率 FET 开关参数