ZHCST14A September 2023 – November 2023 LMG3622
PRODUCTION DATA
GaN 功率 FET 的导通压摆率可通过 RDRV 和 AGND 引脚之间的电阻设定为四个分立式设置之一。当 AUX 电压上升到高于 AUX 上电复位电压时，可在 AUX 上电期间确定一次压摆率设置。压摆率设置确定时间未指定，但大约为 0.4µs。
表 7-1 显示了四个压摆率设置下的建议典型电阻设定值以及每个设置下的典型导通压摆率。如表中所示，开路连接对于设定压摆率设置 0 是可接受的，短路连接（RDRV 短接至 AGND）对于设定压摆率设置 3 是可接受的。
| 导通压摆率设置 | 建议的典型设定电阻 (kΩ) | 典型导通压摆率 (V/ns) | 备注 |
|---|---|---|---|
| 0（最慢） | 120 | 17 | 可接受设定电阻的开路连接。 |
| 1 | 47Ω | 42 | |
| 2 | 22 | 65 | |
| 3（最快） | 5.6 | 125 | 可以接受设定电阻的短路连接（RDRV 短接到 AGND）。 |