电流检测仿真功能会在 CS 引脚的输出端创建经调节的 GaN 功率 FET 正漏极电流副本。电流检测仿真增益 G_CSE 的定义如下：对于传递到低侧 GaN 功率 FET 漏极的每 1A 电流 I_D，来自 CS 引脚的 1.633mA 输出 I_CS。

CS 引脚与一个电阻器端接至 AGND R_CS，以生成外部电源控制器的电流检测电压输入信号。

通过求解传统电流检测设计电阻 R_CS(trad) 再乘以 G_CSE 的倒数来确定 R_CS。传统的电流检测设计通过使 GaN 功率 FET 漏极电流 I_D 通过 R_CS(trad) 来产生电流检测电压 V_CS(trad)。LMG3626 通过使 CS 引脚输出电流 I_CS 通过 R_CS 来创建电流检测电压 V_CS。两种设计的电流检测电压必须相同。

CS 引脚在内部钳位至典型值 2.5V。例如，如果 CS 引脚上的电流检测电阻断开连接，该钳位可保护易受影响的电源控制器电流检测输入引脚免受过压影响。

图 7-2 显示了电流检测仿真运行。在这两个周期中，CS 引脚电流模拟 GaN FET 启用时的 GaN 功率 FET 漏极电流。第一个周期显示了正常运行，其中当控制器电流检测输入阈值跳变时，控制器会关闭 GaN 功率 FET。第二个周期显示了一种故障情况，即 LMG3626 过流保护功能会在控制器电流检测输入阈值跳变之前关闭 GaN 功率 FET。在第二个周期中，LMG2610 生成快速斜升的人工电流检测仿真信号来使控制器电流检测输入阈值跳变，从而避免控制器 IN 脉冲挂起。人工信号一直持续到 IN 引脚变为逻辑低电平，这表示控制器重新控制开关运行。

图 7-2 电流检测仿真运行