ZHCST40A September 2023 – November 2023 LMG3626
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏极电流导通延迟时间 | 从 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 25mA，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 | ||||
| 压摆率设置 0（最慢） | 77 | ns | ||||
| 压摆率设置 1 | 34 | |||||
| 压摆率设置 2 | 28 | |||||
| 压摆率设置 3（最快） | 23 | |||||
| td(on) | 导通延迟时间 | 从 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 | ||||
| 压摆率设置 0（最慢） | 97 | ns | ||||
| 压摆率设置 1 | 44 | |||||
| 压摆率设置 2 | 35 | |||||
| 压摆率设置 3（最快） | 26 | |||||
| td(off) | 关断延迟时间 | 从 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 | 32 | ns | ||
| tf(off) | 关断下降时间 | 从 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 | 24 | ns | ||
| 导通压摆率 | 从 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下压摆率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 | |||||
| 压摆率设置 0（最慢） | 20 | V/ns | ||||
| 压摆率设置 1 | 50 | |||||
| 压摆率设置 2 | 75 | |||||
| 压摆率设置 3（最快） | 150 | |||||
| CS | ||||||
| tr | 上升时间 | 从 ICS(src) > 0.1 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，启用为 1A 负载 | 35 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 唤醒时间 | 从 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | µs | |||