如果将不同的器件配置存储到 EEPROM 中，而不需要中断器件的当前运行状态，则可以使用此 SRAM 直接写入方法。这种方法要求已经生成 SRAM/EEPROM 映射数据，并可由 TICS Pro 导出。
可通过以下序列直接写入 SRAM，无需修改活动配置寄存器：
- 将 SRAM 地址的五个最高有效位写入到 R159（MEMADR 字节 1），并将 SRAM 地址的八个最低有效位写入到 R160（MEMADR 字节 0）。
- 在同一个寄存器事务中，针对前一步中指定的地址将 SRAM 数据字节写入 R162（RAMDAT 字节）。
- 同一个事务中任何额外的写入（或读取）传输都会导致 SRAM 地址指针自动递增，并且后续的写入（或读取）会发生在下一个 SRAM 地址。
- 写入传输到 R162 的字节或块可用于从字节 0 至 252 按顺序写入整个 SRAM 映射。
- 不得修改或覆盖字节 253 至 255，这些字节应保留，仅供 TI 内部使用。
- 或者，在每次写入到 R162 之前显式写入 R159 和 R160 以设置存储器地址指针是有效的。
- 对 SRAM 的访问在当前写入事务结束时终止。
- 请注意，读取 RAMDAT 寄存器也会使存储器地址指针自动递增。