ZHCSTT1C November   2023  – October 2024 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器(地址 = 0x0)[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器(地址 = 0x1)[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器(地址 = 0x2)[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器(地址 = 0x3)[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器(地址 = 0x4)[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器(地址 = 0x5)[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器(地址 = 0x6)[复位 = 0x2AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器(地址 = 0x7)[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器(地址 = 0x8)[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器(地址 = 0x9)[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器(地址 = 0xA)[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器(地址 = 0xB)[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器(地址 = 0xC)[复位 = 0x6800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器(地址 = 0x92)[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器(地址 = 0x93)[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器(地址 = 0x94)[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器(地址 = 0xEE)[复位 = 0x0000]
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例:更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RER|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

R3 寄存器(地址 = 0x3)[复位 = 0x1801]

表 8-6 展示了 R3。

返回到汇总表

表 8-6 R3 寄存器字段说明
字段 类型 复位 说明
15:9 FOD1_N_DIV R/W 0x0C BAW 频率与 FOD1 频率的整数比。该字段存储在 EFUSE 中。
8 CH1_FOD_SEL R/W 0x0

选择 FOD 用作通道分频器 1 的输入源。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:FOD0。

1h:FOD1。

7 CH1_EDGE_COMB_EN R/W 0x0

选择使用通道分频器 1,或使用边缘组合器作为通道分频器 1 的输入源。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:通道分频器 1 输入

1h:边缘组合器输入

6 OUT1_DISABLE_STATE R/W 0x0

当 OUT1 被禁用时,该位选择是否强制将 OUT1_P 和 OUT1_N 引脚设置为 GND 或三态。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:禁用时强制设置为 GND。

1h:禁用时为三态。

5 OUT0_DISABLE_STATE R/W 0x0

当 OUT0 被禁用时,该位选择是否强制将 OUT0_P 和 OUT0_N 引脚设置为 GND 或三态。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:禁用时强制设置为 GND。

1h:禁用时为三态。

4 CH0_FOD_SEL R/W 0x0

选择 FOD 用作通道分频器 0 的输入源。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:FOD0。

1h:FOD1。

3 CH0_EDGE_COMB_EN R/W 0x0

选择使用通道分频器 0,或使用边缘组合器作为通道分频器 0 的输入源。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:通道分频器 0 输入

1h:边缘组合器输入

2:0 CH0_DIV R/W 0x1

通道分频器 0 的分频器值。该字段存储在 EFUSE 中。

0h:禁用通道分频器。当对 OUT0 使用边缘组合器时,将 CH0_DIV 设置为“0”。

1h:FOD/2

2h:FOD/4

3h:FOD/6

4h:FOD/8

5h:FOD/10

6h:FOD/20

7h:FOD/40