ZHCSTT1C November 2023 – October 2024 LMK3H0102
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
表 8-19 展示了 R6。
返回到汇总表。
| 位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:13 | CH1_DIV | R/W | 0x0 | 通道分频器 1 的分频器值。该字段存储在 EFUSE 中。 0h：禁用通道分频器。当对 OUT1 使用边缘组合器时，将 CH1_DIV 设置为“0”。 1h：FOD/2 2h：FOD/4 3h：FOD/6 4h：FOD/8 5h：FOD/10 6h：FOD/20 7h：FOD/40 |
| 12:5 | FOD1_NUM[23:16] | R/W | 0x55 | FOD1 分数分频值的高字节。该字段的值因器件而异。该字段存储在 EFUSE 中。 |
| 4:3 | OUT0_SLEW_RATE | R/W | 0x3 | OUT0 的压摆率控制。该字段存储在 EFUSE 中。 仅适用于差分输出格式。 0h：2.3V/ns 和 3.5V/ns 之间。 1h：2.0V/ns 和 3.2V/ns 之间。 2h：1.7V/ns 和 2.8V/ns 之间。 3h：1.4V/ns 和 2.7V/ns 之间。 |
| 2:0 | OUT0_FMT | R/W | 0x0 | 选择 OUT0 的输出格式。该字段存储在 EFUSE 中。 0h：LP-HCSL 100Ω 端接。 1h：LP-HCSL 85Ω 端接。 2h：交流耦合 LVDS。 3h：直流耦合 LVDS。 4h：LVCMOS，启用 OUTx_P，禁用 OUTx_N。 5h：LVCMOS，禁用 OUTx_P，启用 OUTx_N。 6h：LVCMOS，启用 OUTx_P，启用 OUTx_N，具有 180 度的相位差。 7h：LVCMOS，启用 OUTx_P，启用 OUTx_N，OUTx_P 和 OUTx_N 同相。 |